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Hi zusammen,

die Leitfähigkeit eines reinen Kristalles(Si,Ge) ist sehr niedrig und stark abhängig von der Temperatur.

Durch dotieren mit Fremdstoffen wie Bor(3-Wertig, Akzeptor) und Phosphor(5-wertig, Donator), kann die Leitfähigkeit erhöht werden.

Naja beim donator steht dem Kristall ein freies Elektron zu Verfügung und beim Akzeptor fehlt ein Elektron --> Geht das freie Elektron, dann zu dem Akzeptor?

Um was für einen Sinn hat das genau?

Gruß Bean

Hallo,

nun da frägst du wohl am besten deinen Computer oder dein tolles Smartphone, welchen Grund das wohl haben könnte!

Aber im ernst: Durch die sog. Dotierung mit Fremdatomen ist es möglich verschiedenen "geladene" Bereiche aufzubauen. Es gibt quasi positiv- und negativ-geladene Areale im Kristall. Achtung: geladen ist relative zu sehen!

Am besten schaust du dir dazu mal ein paar Links an:
1. PN-Übergang:
http://de.wikipedia.org/wiki/Pn-%C3%9Cbergang
2. Diode:
http://de.wikipedia.org/wiki/Diode

und wenn du das verstanden hast, kannst du dich mal mit dem TRANSISTOR auseinander setzten:

3. http://de.wikipedia.org/wiki/Npn-Transistor

Bevor ich noch weitererkläre, lies das bitte erst mal ordentlich durch - manche Leute studieren sowas!!
Sorry ELKO-Links kenn ich grad ned!!

MfG
MingliFu

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(Zitat)
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"Dumm ist der, der dummes....."

Ok, danke.

Also kann man sagen:

Es gibt p-Leiter und n-Leiter, je nach dem wo am meisten Löcher oder Elektronen sind.

Dazu gibt es eine n-Dotierung und p-Dotieren, die die Leitfähigkeit des Halbleiters erhöhen.

n-Leiter --> Elektronen in der Mehrheit
p-Leiter --> Löcher in der Mehrheit

n-Dotierung:In reines Si wird ein Fremdstoff wie z.B. Phosphor(5-Wertiges Atom, donator --> Gibt 1 Elektron ab) eingebaut. 1 Elektron ist frei --> n-leiter

p-Dotierung: In reines Si wird ein Fremdstoff wie z.B. Bor(3-Wertiges Atom, Akzeptor --> 1 Elektron fehlt(Loch))
--> 1 Loch entsteht --> p-leiter

Und wenn man jetzt p- und n-Material bzw. Leiter zusammenfügt, dann kommt es zum pn-Übergang etc.

Stimmt das so in etwa?

» Stimmt das so in etwa?

Nun durch das erwähnte dotieren, werden ja eben Si-Kritalle zu den oben genannten n- oder p-Leiter!
Aufpassen es gibt keinen grundsätzlich n- bzw. p-leitenden Si- (Ge-, usw.) Kristall. Erst die Dotierung ermöglicht es polarisierte Gebiete zu "erschaffen". Der Prozess überigens wie dies geschieht kann ich nur mal empfehlen, Das kennen zu lernen!!

Genau, beim zusammenführen der einzelnen "geladenen" Gebiete entsteht der PN-Übergang, welcher Hauptbestandteil eines Transis und einer Diode wäre!

MfG

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(Zitat)
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"Dumm ist der, der dummes....."

» Genau, beim zusammenführen der einzelnen "geladenen" Gebiete entsteht der
» PN-Übergang, welcher Hauptbestandteil eines Transis und einer Diode wäre!

Nur so nebenbei, bei den (heut kaum noch üblichen) Esaki-Dioden merkt mal richtig, was Dotierung bedeuten kann

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„Wo kämen wir hin, wenn jeder sagte, wo kämen wir hin und keiner ginge, um zu sehen, wohin wir kämen, wenn wir gingen.“

(Kurt Marti)

» » Genau, beim zusammenführen der einzelnen "geladenen" Gebiete entsteht
» der
» » PN-Übergang, welcher Hauptbestandteil eines Transis und einer Diode
» wäre!
»
» Nur so nebenbei, bei den (heut kaum noch üblichen) Esaki-Dioden merkt mal
» richtig, was Dotierung bedeuten kann

Hmm, gilt das für Tunneldioden auch?
Gruss
Harald