Doc

20.10.2011, 20:23 |
MOSFET gesucht (Elektronik) |
Hallo zusammen,
Ich suche einen NE-MOSFET für bis zu 12V mit hoher Stromfestigkeit. Er soll ein 100Hz-12V-PWM-Signal verstärken Bisher hatte ich den STP50NE10 verwendet, aber der passt nicht wirklich gut. Irgendwelche Vorschläge?
-Doc |
Altgeselle

20.10.2011, 21:08
@ Doc
|
MOSFET gesucht |
» Hallo zusammen,
»
» Ich suche einen NE-MOSFET für bis zu 12V mit hoher Stromfestigkeit. Er
» soll ein 100Hz-12V-PWM-Signal verstärken Bisher hatte ich den STP50NE10
» verwendet, aber der passt nicht wirklich gut. Irgendwelche Vorschläge?
»
» -Doc
Hallo,
was passt an dem STP50NE10 nicht wirklich gut?
Grüße
Altgeselle |
Doc

20.10.2011, 21:53
@ Altgeselle
|
MOSFET gesucht |
» » Hallo zusammen,
» »
» » Ich suche einen NE-MOSFET für bis zu 12V mit hoher Stromfestigkeit. Er
» » soll ein 100Hz-12V-PWM-Signal verstärken Bisher hatte ich den STP50NE10
» » verwendet, aber der passt nicht wirklich gut. Irgendwelche Vorschläge?
» »
» » -Doc
» Hallo,
» was passt an dem STP50NE10 nicht wirklich gut?
» Grüße
» Altgeselle
An dem passt nicht wirklich gut dass er mit 12V am Gate noch einen massiven Widerstand aufweisst. Ich brauch einen, der bei 12V richtig weit aufmacht. |
schaerer

Kanton Zürich (Schweiz), 20.10.2011, 22:11
@ Doc
|
MOSFET gesucht |
» » » Hallo zusammen,
» » »
» » » Ich suche einen NE-MOSFET für bis zu 12V mit hoher Stromfestigkeit.
» Er
» » » soll ein 100Hz-12V-PWM-Signal verstärken Bisher hatte ich den
» STP50NE10
» » » verwendet, aber der passt nicht wirklich gut. Irgendwelche
» Vorschläge?
» » »
» » » -Doc
» » Hallo,
» » was passt an dem STP50NE10 nicht wirklich gut?
» » Grüße
» » Altgeselle
» An dem passt nicht wirklich gut dass er mit 12V am Gate noch einen
» massiven Widerstand aufweisst. Ich brauch einen, der bei 12V richtig weit
» aufmacht.
Dann such Dir einen passenden Logic-Level-Power-MOSFET.
Ich wüsste den IRLZ34, aber der ist mit R_ds_on von minimal 50 m-Ohm ja auch nicht geeignet:
http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/irf/irlz34.pdf -- Gruss
Thomas
Buch von Patrick Schnabel und mir zum Timer-IC NE555 und LMC555:
https://tinyurl.com/zjshz4h9
Mein Buch zum Operations- u. Instrumentationsverstärker:
https://tinyurl.com/fumtu5z9 |
Doc

20.10.2011, 22:56
@ schaerer
|
MOSFET gesucht |
» Dann such Dir einen passenden Logic-Level-Power-MOSFET.
»
» Ich wüsste den IRLZ34, aber der ist mit R_ds_on von minimal 50 m-Ohm ja
» auch nicht geeignet:
» http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/irf/irlz34.pdf
Seh ich das richtig, dass die Gate-Spannung maximal 10V betragen darf? Wenn ja, dann ist er nichts für mich, ich krieg hier 12V um die Ohren gehauen. Ich würde ungerne einen Spannungsteiler am Gate einsetzen, ich hab wenig genug Platz auf der Platine. |
Altgeselle

20.10.2011, 23:07
@ Doc
|
MOSFET gesucht |
» » Dann such Dir einen passenden Logic-Level-Power-MOSFET.
» »
» » Ich wüsste den IRLZ34, aber der ist mit R_ds_on von minimal 50 m-Ohm ja
» » auch nicht geeignet:
» » http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/irf/irlz34.pdf
»
» Seh ich das richtig, dass die Gate-Spannung maximal 10V betragen darf?
» Wenn ja, dann ist er nichts für mich, ich krieg hier 12V um die Ohren
» gehauen. Ich würde ungerne einen Spannungsteiler am Gate einsetzen, ich
» hab wenig genug Platz auf der Platine.
Bei einer Betriebsspannung von 12V reicht wohl eine
Spannungsfestigkeit von 55V für den Mosfet aus.
Dann gibts noch deutlich niederohmigere Teile:
https://ec.irf.com/v6/en/US/adirect/ir?cmd=eneNavigation&N=0+4294841672+4294873569+4294852589 |
Doc

20.10.2011, 23:37
@ Altgeselle
|
MOSFET gesucht |
» Bei einer Betriebsspannung von 12V reicht wohl eine
» Spannungsfestigkeit von 55V für den Mosfet aus.
» Dann gibts noch deutlich niederohmigere Teile:
» https://ec.irf.com/v6/en/US/adirect/ir?cmd=eneNavigation&N=0+4294841672+4294873569+4294852589
Da komm ich jetzt nicht ganz hinterher, wonach hast du gesucht um dieses Ergebnis zu erreichen? |
schaerer

Kanton Zürich (Schweiz), 21.10.2011, 09:38
@ Doc
|
MOSFET gesucht |
» » Dann such Dir einen passenden Logic-Level-Power-MOSFET.
» »
» » Ich wüsste den IRLZ34, aber der ist mit R_ds_on von minimal 50 m-Ohm ja
» » auch nicht geeignet:
» » http://www.datasheetcatalog.org/datasheet/irf/irlz34.pdf
»
» Seh ich das richtig, dass die Gate-Spannung maximal 10V betragen darf?
Korrekt. Das steht ja in "Maximal Rating".
» Wenn ja, dann ist er nichts für mich, ich krieg hier 12V um die Ohren
» gehauen.
Dann brauchst Du auch kein Logiclevel-MOSFET.
Ich frage mich gerade, wieso ich Dir das überhaupt vorgeschlagen habe. Du hast geschrieben: "An dem passt nicht wirklich gut, dass er mit 12V am Gate noch einen massiven Widerstand aufweisst. Ich brauch einen, der bei 12V richtig weit aufmacht."
Eigentlich meinst Du zumacht, - der Drain-Source-"Schalter" schliesst sich.
Ich erkenne, ich dachte, dass Dir mit einem Logiclevel-MOSFET vielleicht gedient ist, weil der dann mit 12 V besonders niederohmig wird. Das wird auch stimmen. Dass er nur mit ±10V maximal belastet werden kann, wusste ich nicht, leuchtet aber ein, weil die Metalloxydschichtdicke entsprechend der höheren Empfindlichkeit eben dünner ist.
Die Antwort eines andern, der Dir einen MOSFET empfiehlt der besser der Betriebsspannung angepasst ist, das bessere Resultat liefert, weil bei dem der Kanalwiderstand apriori niederohmiger ist, ist natürlich richtig. Er zeigt ja eine interessante Tabelle. Das Problem ist auch immer wieder, ob das Wunschbauteil als Einzelstück oder geringen Stückzahl bei den allgemein bekannten Distris, wie z.B. bei Distrelec oder Farnell erhältlich ist.
» Ich würde ungerne einen Spannungsteiler am Gate einsetzen, ich
» hab wenig genug Platz auf der Platine.
Aber ein niederohmiger Gatevorwiderstand, so etwa 10 bis 100 Ohm direkt vor das Gate ist stets empfehlenswert, um allfälliges Schwingen beim Durchschalten zu verhindern. Die Wahl dieses Widerstandes ist in Deinem Fall eh unkritisch und darf auch etwas höher sein, weil die PWM-Frequenz ja nur 100 Hz beträgt.
Was ist der Zusammenhang? Wenn der Vorwiderstand vor dem Gate zu hochohmig gewählt wird, reduziert dies dies die Flankensteilheit bei Schalten des Drainstromes, weil sich die Zeitkonstante R_gate*C_gate/source auswirkt. Bei höheren Frequenzen fällt das ins Gewicht und die Verlustleistung steigt. Vorteil einer kleinen Steilheitsreduktion ist die reduzierte HF-Bandbreite (Oberwellen) und somit geringeres Radiostörrisiko . Dies einfach noch am Rande angedeutet... -- Gruss
Thomas
Buch von Patrick Schnabel und mir zum Timer-IC NE555 und LMC555:
https://tinyurl.com/zjshz4h9
Mein Buch zum Operations- u. Instrumentationsverstärker:
https://tinyurl.com/fumtu5z9 |
Altgeselle

21.10.2011, 10:26
@ Doc
|
MOSFET gesucht |
» » Bei einer Betriebsspannung von 12V reicht wohl eine
» » Spannungsfestigkeit von 55V für den Mosfet aus.
» » Dann gibts noch deutlich niederohmigere Teile:
» »
» https://ec.irf.com/v6/en/US/adirect/ir?cmd=eneNavigation&N=0+4294841672+4294873569+4294852589
»
» Da komm ich jetzt nicht ganz hinterher, wonach hast du gesucht um dieses
» Ergebnis zu erreichen?
Einfach auf irf.com unter Product Line "N-Channel" gewählt
und in der Auswahltabelle auf "TO220" und "55V" geklickt... |
Doc

21.10.2011, 16:51
@ Altgeselle
|
MOSFET gesucht |
» Einfach auf irf.com unter Product Line "N-Channel" gewählt
» und in der Auswahltabelle auf "TO220" und "55V" geklickt...
OK, Danke. Jetzt werd ich mal schauen welche davon der freundliche Distributor um die Ecke überhaupt hat... |
Thomas Kuster

CH-9400 Rorschach, 21.10.2011, 17:55
@ Doc
|
MOSFET gesucht |
Hallo Doc
das wäre etwas für Dich :
https://www.distrelec.de/mosfet-to-220ab-n-30-v-140-a/ir/irl-3803pbf/612180
Mit vielen freundlichen Grüssen Thomas |
Doc

21.10.2011, 18:20
@ schaerer
|
MOSFET gesucht |
» Eigentlich meinst Du zumacht, - der Drain-Source-"Schalter" schliesst
» sich.
»
Moooooment mal - jetzt hast du mich verwirrt. Ein NE-Mosfet wird doch leitend, wenn am Gate positive Spannung anliegt, oder hab ich's jetzt wieder durcheinander?
Wie ein FET leitend werden kann, wenn man Spannung anlegt war mir eh nie ganz klar, von dem Prinzip wie mir die FETs erklärt wurden... Aber deshalb halte ich in der Elektronik auch Theorie und Praxis streng getrennt, sonst würd ich nie was fertigkriegen |
schaerer

Kanton Zürich (Schweiz), 21.10.2011, 18:49
@ Doc
|
MOSFET gesucht |
» » Eigentlich meinst Du zumacht, - der Drain-Source-"Schalter" schliesst
» » sich.
» »
» Moooooment mal - jetzt hast du mich verwirrt. Ein NE-Mosfet wird doch
» leitend, wenn am Gate positive Spannung anliegt, oder hab ich's jetzt
» wieder durcheinander?
Das stimmt ganz genau. Und wenn Du soviel Gate/Source-Spannung anlegst und der MOSFET sättigt, schliesst er, jetzt in der Funktion als elektronischer Schalter, die Drain/Source-Strecke. Man kann ganz einfach den selben Formalismus verwenden wie bei einem mechanischen Schalter.
Ganz praktisch formuliert.
Alles klar?  -- Gruss
Thomas
Buch von Patrick Schnabel und mir zum Timer-IC NE555 und LMC555:
https://tinyurl.com/zjshz4h9
Mein Buch zum Operations- u. Instrumentationsverstärker:
https://tinyurl.com/fumtu5z9 |
Elko_Scotty

21.10.2011, 19:05
@ Doc
|
MOSFET gesucht |
Und auserdem kann man die problemlos parallelschalten.
Voraussetzung ist man hat Platz.
Gruß -- Nur wer nichts macht, macht keine Fehler
wer keine Fehler macht, wird befördert. |
Doc

21.10.2011, 20:24
@ Elko_Scotty
|
MOSFET gesucht |
» Voraussetzung ist man hat Platz.
Und genau da liegt der bellede Flohspender in den scharfen Gewürzkügelchen verbuddelt. Kühlen muss ich die Dinger ja auch noch. So wie ich die Jungs kenne, wird da Leistung wieder bis auf's letzte Fitzelchen ausgereizt, und damit dann die Bude geheizt. |
Doc

21.10.2011, 20:27
@ Thomas Kuster
|
MOSFET gesucht |
» Hallo Doc
»
» das wäre etwas für Dich :
»
» https://www.distrelec.de/mosfet-to-220ab-n-30-v-140-a/ir/irl-3803pbf/612180
»
» Mit vielen freundlichen Grüssen Thomas
Ich glaub das isser
Danke Herr Namensvetter
PS: Weitere Vorschläge sind natürlich gerne gesehen, Vergleich ist immer gut und ich hab ja noch ne Woche, bevor ich die entgültigen Specs einreichen muss.
-Doc |