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Hey alle zusammen,
morgen habe ich einen Vortrag zu halten über einen MOS FET Verarmungstyp (N Kanal) und möchte dabei dieses Bild zur Funktionweise benutzen (http://www.inf.fu-berlin.de/lehre/WS00/peg/folien/Peg_v6.pdf) Seite 16.
Allerdings weiss ich nicht genau wie ich das am besten anstellen sollte. Hab ich das so richtig verstanden?
Zwischen den 2 Inseln Drain-Source liegt eine schwache n-Dotierung, somit ist der FET selbstleitend. Am Drain Source liegt eine Spannung an - an Ugs keine (0 Volt). Sobald die Spannung am Ugs negativer ist als die an der Source sperrt dieser. Diese weiße Punkte auf diesem Schaubild sind wahr. die Positiven Elektronen die vom Source Eingang vom Drain aufgenommen werden (Abfluss). Am P Substrat (Bulk) bleiben die negativen Elektronen.

Also bis dahin bin ich selbstständig gekommen, und nicht mal bei dem bin ich mir sicher. Also wie gesagt, würde mich freuen wenn mir jemand ein wenig helfen könnte, und wenns geht, so schnell wie möglich.
Im vorraus vielen Dank und liebe Grüße,
nbd92

N-Kanal und P-Kanal ist so ähnlich, wie NPN und PNP Transistoren.
Bei N-Kanal liegt Drain an Plus und Source an Minus.
Gesteuert wird er mit einer Spannung zwischen Gate und Source. Und zwar öffent er umso mehr als das Gate positiver gegenüber Source wird.

Unterschied Selbstleitend (delpetion, Verarmung) und Selbstsperrend (enhancement):
Bei Null Volt G-S sperrt der selbstsperrende. Er leitet erst, wenn G positiver gemacht wird. (Die Spannung bei der Leitung einsetzt nennt man auch Up (Pinch off oder Abschnürspannung)

Der selbstleitende dagegen leitet schon bei 0 Volt und sperrt erst, wenn die Spannung noch negativer wird.



hws