» Hallo,
»
» Link hier: http://www.elektronik-kompendium.de/public/schaerer/powsw1.htm
»
» 1. "Welche Bedeutung hat der Widerstand R1 am Eingang des Gates beim
» MOSFET? Wozu soll dieser etwas nützen, denn es ist eine
» Spannungssteuerung? Einerseits kann die Gate-Source-Kapazität eine
» Treiberschaltung destabilisieren, d.h. sie kann sie in Schwingungen
» versetzen, anderseits kann die MOSFET-Schaltung bei direkter sehr
» niederohmiger Ansteuerung selbst in sehr hochfrequente Schwingungen
» geraten. Bei hochfrequenten Schaltungen muss R1 sorgfältig meist
» niederohmig gewählt werden, damit R1 und die Gate-Source-Kapazität nicht
» eine zu niedrige störende Tiefpassfilter-Grenzfrequenz erzeugt. Anstelle
» von R1 werden manchmal auch kleine Induktivitäten eingesetzt. In unseren
» Beispielen, bei denen es stets um langsame Schaltvorgänge geht, darf R1
» locker einen Wert von 1 k-Ohm haben und damit ist man in Bezug auf
» Stabilität auf der sicheren Seite."
»
» Möchte der Autor damit sagen, daß die Größe des Widerstands R1 bei
» niedrigeren Frenquenzen keine große Rolle spielt?
»
» 2. "und darum gibt es auch sogenannte Highside-MOSFET-Treiberstufen, bei
» denen N-Kanal-MOSFETs im Einsatz sind und damit die Gate-Steuerspannung
» hoch genug ist, muss diese mittels einer Switched-Capacitor-Boostschaltung
» hochtransformiert werden."
»
» Wird hier gemeint, daß die Gate-Ansteuerspannung hoch genug sein muß? Wie
» hoch denn?
»
» Gruss
» Steinert
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1. r1 dient dazu, allfällige schwingneigungen zu bekämpfen. sind aber hohe schaltgeschwindigkeiten in der anwendung gefordert, so muß r1 gleichzeitig "klein genug" sein. (aus der röhrentechnik am steuergitter G1 der endstufe als gridstopper bekannt, meist 1000 Ohm -> jogis röhrenbude)
2. reicht die Ub nicht aus, den transi durchzuschalten, so sollte man sich eine höhere (gerne gering belastbare) hilfsspannung erzeugen, die hoch genug ist, das gate durchzuschalten (=naja, den transi durchzuschalten.) |
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