» Hallo,
» ich suche einen symmetrischen, selbstsperrenden N-Kanal Mosfet. Er sollte
» in etwa die Spezifikationen wie der BS170 haben, aber eben ohne die Diode
» zwischen Source und Drain.
Die entsteht automatisch durch den pn-Übergang vom Substrat zu Drain. Sobald also Substrat (Bulk) und Source intern verbunden werden, hast Du auch diese sogenannte Body Diode vorliegen.
Mosfets mit separatem Bulk Anschluss sind selten. Mir fällt gerade nur der BSS83 ein.
» Ich möchte damit eine DRAM Zelle nachbauen und habe bisher nur Typen mit
» dieser Diodencharakteristik gefunden.
» Es wäre nett wenn Ihr mir ein paar Tips geben könntet
DRAM Zellen werden selten diskret aufgebaut. Bei integrierten Transistoren ist man nicht gezwungen, Substrat und Source zu verbinden. Im Gegenteil: Hier wird der Bulk Anschluss meist zur Reduzierung der Leckströme verwendet, um überhaupt adäquate Speicherzeiten zu erreichen.
Gruß
Torsten |
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