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Hallo liebe Experten,

in dem Fach Elektronik wurde die angehängte Aufgabe ausgegeben.
Es geht um einfache Berechunugen für einen Transistor.
Das ist soweit auch kein Problem.
Allerdings wird in der Aufgabe auch nach dem Zeitpunkt der Sättigung gefragt.
Das wäre meines erachtens auch nicht das Problem, wenn ich eine Vorgegebene Funktion über die Zeit hätte - die habe ich leider nicht...
Und dann muss noch ein Schaubild mit diversen Kennlinen erstellt werden - dies ist meiner Meinung nach nur möglich wenn ich eine Entsprechende Ausgangsfunktion habe, oder!?

Ich würde mich freuen wenn ihr die angehängte Aufgabe einmal durchschauen könntet - vlt. fehlen auch Angaben von Seiten des Dozenten (ich hätte ihn bereits gefragt, erreiche ihn aber nicht...)

Vielen Dank bereits für eure Hilfe!

Gruß
Jonathan

http://www.elektronik-kompendium.de/forum/upload/20100102174206.doc

Hallo,
die Aufgabenstellung ist etwas ungewöhnlich, zumal ein bipolarer Transitor gezeichnet ist, aber Rgate und Ugate angegeben sind. Aber für einen FET wäre wohl kein ß angegeben worden
Allerdings ist das ß recht niedrig - aber was solls. Nur, um den Transistor in die Sättigung zu bekommen, übersteuert man ihn üblicherweise, ich würde hier mal eine Spannung bei gegebener Basisbeschaltung von >20V annehmen.....auf jeden Fall deutlich größer 9,3V.

(Für die Eingangsspannung mußt Du das Ube zum Spannungsabfall am Basiswiderstand hinzurechnen - ich würde von etwa 0,7V ausgehen - also 8,648V + 0,7V = 9,35V)

Den Einfluß der Sättigungsspannung zur Berechnung von Icmax kann man vernachlässigen.

Wie jetzt der Zeitpunkt der Sättigung ermittelt werden soll ist so nicht zu sagen, da dürfte noch irgendwo das "kleingedruckte" fehlen ;-=

Grüße
HArtwig

Grüße
Hartwig

» ... da dürfte noch irgendwo das "kleingedruckte" fehlen ;-=

.. in der Form, was der Lehrer mündlich im Unterricht dazu gesagt hat, wo man aber nicht aufgepasst hat und was wir natürlich nicht wissen können ..

hws

» ... nach dem Zeitpunkt der Sättigung gefragt.

Auch wenn so gefragt ist, sicher, dass statt Ic(t) nicht ein Diagramm Ic - Ib gefragt ist? Oder Ic - Uin oder Uc - Uin ?

» http... *.doc

argghh - wer macht denn Schaltpläne in Word ??

hws

» Hallo liebe Experten,
»
» Allerdings wird in der Aufgabe auch nach dem Zeitpunkt der Sättigung
» gefragt.
Hallo,
ja, für den Zeitpunkt braucht man eine Zeitfunktion.
Aber für den Arbeitspunkt "Sättigung" kann man Berechnungen
anstellen: bei Sättigung gilt UCB < UBE.
Grüße
Altgeselle

» Hallo liebe Experten,
»
» in dem Fach Elektronik wurde die angehängte Aufgabe ausgegeben.
» Es geht um einfache Berechunugen für einen Transistor.
» Das ist soweit auch kein Problem.
» Allerdings wird in der Aufgabe auch nach dem Zeitpunkt der Sättigung
» gefragt.
» Das wäre meines erachtens auch nicht das Problem, wenn ich eine
» Vorgegebene Funktion über die Zeit hätte - die habe ich leider nicht...
» Und dann muss noch ein Schaubild mit diversen Kennlinen erstellt werden -
» dies ist meiner Meinung nach nur möglich wenn ich eine Entsprechende
» Ausgangsfunktion habe, oder!?
»
» Ich würde mich freuen wenn ihr die angehängte Aufgabe einmal durchschauen
» könntet - vlt. fehlen auch Angaben von Seiten des Dozenten (ich hätte ihn
» bereits gefragt, erreiche ihn aber nicht...)
»
» Vielen Dank bereits für eure Hilfe!
»
» Gruß
» Jonathan
»
» http://www.elektronik-kompendium.de/forum/upload/20100102174206.doc

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Hallo,

Naja, da ist zwar die Zeit - Zeitpunkt nicht direkt angegeben.

Aber denke mal an die Ladung der Transistorkanäle.
Auf die Zeit kommst indirekt durch Umrechnen mit Ladungsänderung per Zeit.

Ein Transi wird ja beim ansteuern geladen, was Zeit beansprucht. - Eingangs- Ausgangs-Kapazität, Ladungsmenge..etc.. und so in diese Richtung.

Dabei hast auch einen differenziellen Widerstand - Diodenstrecke im Transi. BE --- re

Ein paar Ausdrücke:

B » b = Kleinsignalstromverstärkung

ü = Übersteuerungsfaktor;
a = Ausräumfaktor;

Us ist die Sättigungsspannung des Transistors (inverser Betrieb der Kollektordiode)

Cb = Sperrschichtkapazität der Basisemitterdiode (IB = 0)
Cc = Sperrschichtkapazität der Kollektorbasisdiode (Uc = Ub)
Rb = Basisvorwiderstand (Strombegrenzung Ib)
RC = Kollektorwiderstand
IC = Kollektorstrom (max.); = IC
Ub = Betriebsspannung
Ug1 = positiver Spitzenwert der Basisspannung vom Emitterpotential,
Ug2 = negativer Spitzenwert der Basisspannung vom Emitterpotential
UD = Sättigungsspannung der Basisdiode, UD » 0,7 V (Siliziumtransistor)
Us = Kollektorsättigungsspannung » 0,1 V
f1 = fT



"Also, an das zu füllende Wasserrohr denken, das dann wenns voll ist, eine Schleuse aufdrückt."

Das ganze ist auch Temp. abhängig, weil Metalle durch den Stromfluß aufgeheizt werden.
Auch das brauchst zum Rechnen.

Mit ein paar dieser Formeln solltest eigentlich auf den Sättigungsknick kommen; geht bis zum 2. Durchbruch, dann mortatella.

Das SOAR-Diagramm gibt dir mit dem Datenblatt wertvolle Hilfe.

Transistorschaltzeiten: Ein Doc in zwei Teilen, da zu groß für s Hochladen:
http://www.elektronik-kompendium.de/forum/upload/20100102231203.doc

http://www.elektronik-kompendium.de/forum/upload/20100102231214.doc

Überschlägige Ermittlung der einzelnen Schaltzeiten für Rechteckansteuerung (idealer Fall)

Mit den im folgenden angegebenen Gleichung ist ein erstes Abschützen der Schaltzeiten möglich. Die genaue Ermittlung ist nur durch eine Messung des jeweiligen Betriebsfalls möglich.



Grüße
Gerald

--
...und täglich grüßt der PC:
"Drück' ENTER! Feigling!"

Hallo zusammen,

recht herzlichen Dank für eure Antworten. Ich werde nun versuchen die Aufgabe soweit wie möglich zu lösen.

Gruß
Jonathan

» » http... *.doc
»
» argghh - wer macht denn Schaltpläne in Word ??

Vielleicht ein 150% überzeugter Microschr*tt- und Wind**f-Freak.

--
Gruss
Thomas

Buch von Patrick Schnabel und mir zum Timer-IC NE555 und LMC555:
https://tinyurl.com/zjshz4h9
Mein Buch zum Operations- u. Instrumentationsverstärker:
https://tinyurl.com/fumtu5z9