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Hallo,

leider finde ich in den Datenblättern von npn-Transistoren oder n-Kanal-MOSFETs keine Angabe darüber, wie hoch eine negative Spannung zwischen Basis-Emitter, bzw. Gate-Source sein darf.
Im konkreten Fall handelt es sich hier um Ube = -10 V (bsp. BC141). Meiner Meinung nach dürfte dies dem Transistor nichts ausmachen, da kein Strom fließt. Was meint ihr?

Danke für eure Hilfe.

Grüße
Robin

» leider finde ich in den Datenblättern von npn-Transistoren oder
» n-Kanal-MOSFETs keine Angabe darüber, wie hoch eine negative Spannung
» zwischen Basis-Emitter, bzw. Gate-Source sein darf.

Steht bei den Absolute Maximum Ratings.

» Im konkreten Fall handelt es sich hier um Ube = -10 V (bsp. BC141). Meiner
» Meinung nach dürfte dies dem Transistor nichts ausmachen, da kein Strom
» fließt. Was meint ihr?
»
» Danke für eure Hilfe.
»
» Grüße
» Robin

Die Basis Emitter Diode wirkt in Sperrrichtung wie eine Zehnerdiode mit einer Zehnerspannung von rund 6V. Also fließt bei 10V ein Strom!!

Hallo
als Fausformel gilt : Bei Bipolartransistoren darf die rückwärtige Spannung über einer Basis-Emitterstrecke 5 V nicht überschreiten. Bei Mosfet's besteht die Isolation aus nichtleitendem Siliziumoxid, die Isolationsspannung ist auf beide Seiten gleich gross (10-20V je nach Typ).

Mit vielen freundlichen Grüssen Thomas Kuster

Vielen Dank für die Antworten.

Ich habe bei den absolute maximum ratings nicht die Reihenfolge der Kürzel für Basis und Emitter beachtet. UEB0 gibt somit natürlich direkt die Spannungsrichtung von Emitter nach Basis vor. Da UEB = 7V für meine Anwendung nicht ausreicht, werde ich mir wohl einen passenden MOSFET suchen.

Viele Grüße
Robin

» Vielen Dank für die Antworten.
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» Ich habe bei den absolute maximum ratings nicht die Reihenfolge der Kürzel
» für Basis und Emitter beachtet. UEB0 gibt somit natürlich direkt die
» Spannungsrichtung von Emitter nach Basis vor. Da UEB = 7V für meine
» Anwendung nicht ausreicht, werde ich mir wohl einen passenden MOSFET
» suchen.
»
» Viele Grüße
» Robin

Hallo Bobin,
oder einfach eine normale Diode mit ausreichender Spannungsfestigkeit vor die Basis in Reihe schalten.
Die schützt dann den Transistor.
Gruß Kendiman

Gruß Kendiman

» ... werde ich mir wohl einen passenden MOSFET suchen.

Besser: vernünftige Schaltung suchen.

Wie sieht die Schaltung aus, was soll sie machen und woher stammt sie?

Siehe Punkt 2 der "7 Tipps für Neulinge".

hws

» » Im konkreten Fall handelt es sich hier um Ube = -10 V (bsp. BC141).
» Meiner
» » Meinung nach dürfte dies dem Transistor nichts ausmachen, da kein Strom
» » fließt. Was meint ihr?
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» » Danke für eure Hilfe.
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» » Grüße
» » Robin
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» Die Basis Emitter Diode wirkt in Sperrrichtung wie eine Zehnerdiode mit
» einer Zehnerspannung von rund 6V. Also fließt bei 10V ein Strom!!

Wobei, wenn man 10 V aufzwingen will, geht das nur ganz kurz mit kleinen Stromimpulsen, weil sonst der dazu sehr grosse Strom und entsprechende Leistung den Transistor sehr rasch in die ewigen Jagdgründe der Elektronen befördern würde.

--
Gruss
Thomas

Buch von Patrick Schnabel und mir zum Timer-IC NE555 und LMC555:
https://tinyurl.com/zjshz4h9
Mein Buch zum Operations- u. Instrumentationsverstärker:
https://tinyurl.com/fumtu5z9

» » ... werde ich mir wohl einen passenden MOSFET suchen.
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» Besser: vernünftige Schaltung suchen.
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» Wie sieht die Schaltung aus, was soll sie machen und woher stammt sie?
»
» Siehe Punkt 2 der "7 Tipps für Neulinge".
»
» hws

Hallo hws,

ich habe eine Schaltung entworfen, die abhängig vom Eingangssignal eines PI-Reglers das Tastverhältnis einer PWM ändert. Den MOSFET verwende ich als Schalter, um den Ausgangspegel der Schaltung von +/-10V auf 0-5 V zu wandeln. In der Simulation in LTSpice sieht das ganze schonmal sehr gut aus.
Du kennst nicht zufällig eine gute Anleitung, wie ich Spice Models in LTSpice einbinde?

Grüße