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Questi

16.12.2009,
21:30
 

Halbleiter: Ladungsträgerdichte (Elektronik)

HI!
Folgende Aufgabe:
"Es soll die Löcherdichte in einem n- dotierten bzw. undotierten Si- Widerstand bei T= 300°k angegeben werden."

Keine weiteren Angaben.
Sehe ich das richtig, daß in diesem Falle p(T)= pi(T) ist ("i" für "intrinsisch";)?
Also die Löcherdichte in beiden Fällen gleich? Weil n- Dotierung bedeutet ja höhere Elektronendichte bei gleichbleibender Löcherdichte, oder? Scheint mir irgendwie zu einfach, diese Lösung :-(.

Mit freundlichen Grüßen- Questi

x y

16.12.2009,
23:01

@ Questi

Halbleiter: Ladungsträgerdichte

» Also die Löcherdichte in beiden Fällen gleich? Weil n- Dotierung bedeutet
» ja höhere Elektronendichte bei gleichbleibender Löcherdichte, oder?
» Scheint mir irgendwie zu einfach, diese Lösung :-(.

Ist ja auch falsch, man MWG.

Questi

16.12.2009,
23:26

@ x y

Halbleiter: Ladungsträgerdichte

HI!
Falls du mit "MWG" Massenwirkungsgesetz meinst- daran habe ich auch schon gedacht und das hat mich letztlich zweifeln lassen. Aber wie zum Geier soll man die Löcherdichte n- dotierten Si's berechnen, wenn man sonst keine Angaben hat außer der Temperatur? Habe leider auch keine Tabelle mit typsichen Werten für Dotierungen. dafür stapel-, ach was, tonnenweise Unterlagen mit Herleitungen und Formeln für den Spass. Nur für so etwas triviales, da reicht's scheinbar nicht. Mit den komplexeren Aufgaben dieser Materie habe ich irgendwie keine Probleme...... und google bringt mich bei meinen Recherchen immer wieder auch nur auf die "schwierigeren" Aufgaben....



Mit freundlichen Grüßen- Questi

x y

17.12.2009,
00:55

@ Questi

Halbleiter: Ladungsträgerdichte

» Falls du mit "MWG" Massenwirkungsgesetz meinst- daran habe ich auch schon
» gedacht und das hat mich letztlich zweifeln lassen. Aber wie zum Geier
» soll man die Löcherdichte n- dotierten Si's berechnen, wenn man sonst
» keine Angaben hat außer der Temperatur?

Algebra.

Questi

17.12.2009,
18:14

@ x y

Halbleiter: Ladungsträgerdichte

HI!
Also, grundsätzlich und ganz allgemein gelten doch, je nach Dotierung:

n0= ND; p0= ni ^2 /ND
bzw.
p0= NA; n0= ni ^2 /NA


D.h. aber, dass ND bzw. NA gegeben sein müssen. Oder ist dies das, was unter "normale" Dotierung fällt?
Stimmt, das könnte es sein, es steht ja nur "n"- und nicht "n-"- oder "n+"- dotiert in der Aufgabenstellung. Dafür gibt es ja dann wieder auch Tabellen mit Angaben, Si normal n- bzw. p- dotiert wären dann ja 1Don./10^7 Si- Atome bzw. 1Akz./10^6 Si- Atome. Und das jetzt auf 1/cm^3 umgerechnet und schon hätte ich mein ND bzw. NA.
Sind meine Gedankengänge soweit richtig?


Mit freundlichen Grüßen Questi