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Hallo zusammen,

vielleicht kann mir einer hier im Forum weiterhelfen.
Auf der Seite: http://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/0201291.htm (Bipolarer Tranistor) gibt es etwas weiter unten die "Eigenschaften des bipolaren NPN-Transistors".

Bei 5) steht "Wenn die Spannung UCE kleiner ist, als die Spannung UBE, dann befindet sich der bipolare Transistor in der Sättigung oder im Sättigungsbetrieb"

Ich dachte der Sättigungsbetrieb ist durchaus im Bereich von UCE > UBE? Wo liegt mein Denkfehler?

Beste Grüße

andy

hallo andy

Alles das, was du hier beschreibst, setzt voraus, das im Kollektorkreis ein Widerstand geschaltet ist. Die Basis-Emitterstrecke ist eine Diode. Eine Diode hat eine Flussspannung von rund 0,7V. Fast unabhängig davon, wie groß der Strom durch sie ist. Beim Transistor wird der Basisstrom mit dem Stromverstärkungsfaktor multipliziert in den Kollektor fließen. Das funktioniert bis die Spannung am Kollektor durch den Kollektorwiderstand sehr weit gesunken ist. Ab diesem Punkt, steigt der Kollektorstrom nicht mehr proportional zum Basisstrom an. Will man, dass der Transistor als Schalter möglicht weit nach Masse durchsteuert, muss man den Basisstrom überdimensional erhöhen. Dan steuert der Transistor so weit durch, dass die Kollektor-Emitterspannung unter der Basis-Emitterspannung liegt. Das kann kleiner 100mV sein. Diesen Zustand nennt man Sättigung. Nachteil dieses Zustandes ist, dass der Transistor, wenn er nicht mehr angesteuert wird, eine längere Zeit benötigt um wieder zu sperren. Je nach Anwendungsfall, muss man einen Kompromiss finden.

gruß olit

Danke Dir.
Ich war zu sehr auf das Ausgangskennlienfeld mit fester UBE Einstellung fixiert. Habe es mir noch mal angesehen. Auch da gilt ja letztendlich, je höher UBE desto höher der Kollektorstrom und desto geringer ist die maximal mögliche UCE Spannung die man zur Bestimmung der Ausgangskennlie noch anlegen kann. Man muss nur genauer hinsehen...