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Hallo,
ich hab da mal ein paar Fragen. Ich möchte ein Gegentaktschaltnetzteil als Step-up Wandler bauen, von 12V gespeist.
Verstehe ich das richtig oder falsch:
Die Formel 0,5*L*I*I gibt die Energie an, die ein Schaltvorgang in die Speicherdrossel einleiten kann. Wenn ich also beispielsweise eine 1kHz Schaltfrequenz verwende, kann ich diese Energiemenge 1000mal pro Sekunde (abzüglich Verluste) an der Sekundärspule "rausziehen". Dies entspricht einer entsprechenden Leistung.
Wenn ich jetzt die Frequenz sagen wir mal auf 2kHz erhöhen würde. Könnte ich ja theoretisch gesehen doppelt so viel Energie durch den Kern "durchleiten". Jetzt macht sich aber ein anderer Gedanke breit: Der Blindwiderstand der Primärspule verdoppelt sich dadurch doch (X_L = 2*PI*f*L) und würde den Strom halbieren der durch die Spule fließen kann. Dadurch würde sich wiederum 0,5*L*I*I um 75% verkleinern. D.h. die Energie würde kleiner werden, die mein Hochfrequenztrafo durchleitet. Habe ich da einen Denkfehler?
Und was hat dabei die Duty cycle der MOSFETs für eine Aufgabe?
Ich hab gelesen, die darf maximal 50% sein. Wie kurz kann ich die machen? Oder für was brauche ich die?
Grüße
Bernhard

» Habe ich da einen Denkfehler?

Ja, du hast den Unterschied zwischen Trafo und Speicherdrossel nicht verstanden.

» Hallo,
» ich hab da mal ein paar Fragen. Ich möchte ein Gegentaktschaltnetzteil als
» Step-up Wandler bauen, von 12V gespeist.
» Verstehe ich das richtig oder falsch:
» Die Formel 0,5*L*I*I gibt die Energie an, die ein Schaltvorgang in die
» Speicherdrossel einleiten kann. Wenn ich also beispielsweise eine 1kHz
» Schaltfrequenz verwende, kann ich diese Energiemenge 1000mal pro Sekunde
» (abzüglich Verluste) an der Sekundärspule "rausziehen". Dies entspricht
» einer entsprechenden Leistung.
» Wenn ich jetzt die Frequenz sagen wir mal auf 2kHz erhöhen würde. Könnte
» ich ja theoretisch gesehen doppelt so viel Energie durch den Kern
» "durchleiten". Jetzt macht sich aber ein anderer Gedanke breit: Der
» Blindwiderstand der Primärspule verdoppelt sich dadurch doch (X_L =
» 2*PI*f*L) und würde den Strom halbieren der durch die Spule fließen kann.
» Dadurch würde sich wiederum 0,5*L*I*I um 75% verkleinern. D.h. die Energie
» würde kleiner werden, die mein Hochfrequenztrafo durchleitet. Habe ich da
» einen Denkfehler?
» Und was hat dabei die Duty cycle der MOSFETs für eine Aufgabe?
» Ich hab gelesen, die darf maximal 50% sein. Wie kurz kann ich die machen?

Bei einer Gegentaktschaltung darf der Duty cycle niemals 50 % sein, weil in diesem Moment beide Transistoren noch
leitend sein können, dies gibt ein fetter Kurzschluss.
Das Steuer IC für Gegentaktschaltungen lässt es sowieso nicht zu und fügt zwangsläufig eine Totzeit ein.

» Oder für was brauche ich die?
» Grüße
» Bernhard

Hallo

Guck dir das erst mal an

http://schmidt-walter.eit.h-da.de/smps/smps.html

» Bei einer Gegentaktschaltung darf der Duty cycle niemals 50 % sein, weil
» in diesem Moment beide Transistoren noch
» leitend sein können, dies gibt ein fetter Kurzschluss.

Ok da hätte ich natürlich selbst drauf kommen müssen.

Gibt es noch andere Antworten auf meine Fragen?

» Ja, du hast den Unterschied zwischen Trafo und Speicherdrossel nicht
» verstanden.

Und?? Etwas mehr müsstest Du dann schon schreiben, denn hilfreich ist das nicht

» » Ja, du hast den Unterschied zwischen Trafo und Speicherdrossel nicht
» » verstanden.
»
» Und?? Etwas mehr müsstest Du dann schon schreiben, denn hilfreich ist das
» nicht

Du solltest dir da mal erst Gedanken machen.

» Hallo,
» ich hab da mal ein paar Fragen. Ich möchte ein Gegentaktschaltnetzteil als
» Step-up Wandler bauen, von 12V gespeist.
» Verstehe ich das richtig oder falsch:
» Die Formel 0,5*L*I*I gibt die Energie an, die ein Schaltvorgang in die
» Speicherdrossel einleiten kann. Wenn ich also beispielsweise eine 1kHz
» Schaltfrequenz verwende, kann ich diese Energiemenge 1000mal pro Sekunde
» (abzüglich Verluste) an der Sekundärspule "rausziehen". Dies entspricht
» einer entsprechenden Leistung.

Meine Vorgehensweise ist eine ganz andere, für den Bau eines Übertragers oder Speicherdrossel.

fast ja

Die Leistung hängt nicht nur von der Frequenz ab, sondern auch von der Dauer des Impulses, mit Veränderung der Impulsbreite wird ja die Übertragbare Energie gesteuert.

» Wenn ich jetzt die Frequenz sagen wir mal auf 2kHz erhöhen würde. Könnte
» ich ja theoretisch gesehen doppelt so viel Energie durch den Kern
» "durchleiten".

Nein. Abhängig vom Kernmaterial, Kernvolumen usw. also nicht linear.

»Jetzt macht sich aber ein anderer Gedanke breit: Der
» Blindwiderstand der Primärspule verdoppelt sich dadurch doch (X_L =
» 2*PI*f*L) und würde den Strom halbieren der durch die Spule fließen kann.
» Dadurch würde sich wiederum 0,5*L*I*I um 75% verkleinern. D.h. die Energie
» würde kleiner werden, die mein Hochfrequenztrafo durchleitet. Habe ich da
» einen Denkfehler?

fast richtig

Verluste in der Spule entgegnet man damit, das man dafür
Hf-Litze Verwendet. Der sogenannten Skineffekt (Stromverdrängung) tritt dabei auf, der Skineffekt steigt mit zunehmender Frequenz d.h. um so höher die Frequenz um so weiter nach außen wandert der Strom auf dem Leiter.

Der Bindwiderstand ist nicht so relevant, sondern die Kupfer, Kern, Streu, Schaltverluste und andere machen sich Bemerkbar in der Energiebilanz

» Und was hat dabei die Duty cycle der MOSFETs für eine Aufgabe?
» Ich hab gelesen, die darf maximal 50% sein. Wie kurz kann ich die machen?
» Oder für was brauche ich die?
» Grüße
» Bernhard