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Hallo!

Ich habe eine Script, in dem davon die Rede ist, dass sich die RLZ der Basis-Kollektor-Diode möglichst weit in den Kollektor und weniger in die Basis ausdehnen soll, um einen guten Transistor mit hoher Stromverstärkung und großem differentiellen Ausgangswiderstand zu entwerfen. Weiterhin würde dadurch der Early-Effekt verhindert.
Nun zu meiner Frage: Wird die Stromverstärkung nicht größer, wenn die RLZ sich weit in die Basis erstreckt? Daurch werden doch mehr Ladungsträger durch das Feld der RLZ zum Kollektor gebracht, somit müsste doch auch die Stromverstarkung B=Ic/Ib größer werden!?

Gruß Till

» Hallo!
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» Ich habe eine Script, in dem davon die Rede ist, dass sich die RLZ der
» Basis-Kollektor-Diode möglichst weit in den Kollektor und weniger in die
» Basis ausdehnen soll, um einen guten Transistor mit hoher Stromverstärkung
» und großem differentiellen Ausgangswiderstand zu entwerfen. Weiterhin würde
» dadurch der Early-Effekt verhindert.
» Nun zu meiner Frage: Wird die Stromverstärkung nicht größer, wenn die RLZ
» sich weit in die Basis erstreckt? Daurch werden doch mehr Ladungsträger
» durch das Feld der RLZ zum Kollektor gebracht, somit müsste doch auch die
» Stromverstarkung B=Ic/Ib größer werden!?
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» Gruß Till

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