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Ich scheitere die letzten Tage daran, die Unterschiede zwischen den Transistorvarianten herauszufinden. Den Transistor gibt es zunächst mal in mehreren Grundversionen: einer nichtisolierten Version (A) mit Kollektor am Montageloch, einer möglicherweise isolierten Version, die ich gerade leider nicht mehr benennen kann und einer vollisolierten Version im SOT199 (TO247) - Gehäuse.
Zunächst einmal stelle ich mir folgende Fragen:
- was bedeuten die zwei Buchstaben?
- Gibt es außer den Wärmeleitungseigenschaften, die die Maximalleistung über die Halbleitertemperatur beschränken, weitere elektronische Unterschiede?

Kann mir dabei jemand helfen?

greeds und besten Dank schonmal,
hboy

Sollte eigentlich alles aus den jeweiligen Datenblättern ersichtlich sein.

Das "F" steht gewöhnlich für isoliertes Gehäuse.
Das "D" steht für integrierte Damperdiode.