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Hallo!

Ich habe eine Frage zum pn-Übergang,beim zusammenführen von p und n Material bildet sich ja eine RLZ aus die für die Diffusionsspannung verantwortlich ist.
Nun habe ich gelesen das die Breite der RLZ von der Dotierung abhängt, und zwar derart das die Breite der RLZ abnimmt wenn die Dotierung zunimmt.
Dieses Verhalten ist mir nicht ganz klar, bei höherer Dotierung habe ich mehr freie Elektronen (Löcher) im n-Material (p-Material), dadurch können auch mehr Ladungsträger in den anderen Bereich diffundieren und miteinander rekombinieren bzw. freie Plätze auffüllen, dadurch müsste die RLZ doch breiter werden oder??

Danke!

» Nun habe ich gelesen das die Breite der RLZ von der Dotierung abhängt, und
» zwar derart das die Breite der RLZ abnimmt wenn die Dotierung zunimmt.
» Dieses Verhalten ist mir nicht ganz klar, bei höherer Dotierung habe ich
» mehr freie Elektronen (Löcher) im n-Material (p-Material), dadurch können
» auch mehr Ladungsträger in den anderen Bereich diffundieren und miteinander
» rekombinieren bzw. freie Plätze auffüllen, dadurch müsste die RLZ doch
» breiter werden oder??

Sie wird aber nur so breit bis die Diffusionsspannung (+äussere Spannung) erreicht ist. Wenn die Ladungsträgerdichte größer ist, dann brauchts dafür natürlich weniger Dicke.

» Sie wird aber nur so breit bis die Diffusionsspannung »(+äussere Spannung)
» erreicht ist. Wenn die Ladungsträgerdichte größer ist, dann brauchts dafür
» natürlich weniger Dicke.

Achso,d.h ich kann mir das so vorstellen:
Höhere Dotierung->Höhere Dichte an freien Ladungsträgern->in der entstehenden RLZ ist auch die Dichte der ionisierten Atome höher->Spannung steigt steiler mit der Ortskoordinate->Diffusionsspannung ist schneller erreicht->RLZ kleiner

Stimmt diese Überlegung so?

» Stimmt diese Überlegung so?

Ja.

» » Stimmt diese Überlegung so?
»
» Ja.

Danke,dann hätt ich gleich noch eine ähnliche Frage, beim Mosfet ist mir die grundsätzliche Funktion mit Anreicherung,Verarmung und Inversion klar, nicht ganz einsichtig ist der Mechanismus der zum Pinch-Off führt, bei konstanter Ugs>Uth leitet der Kanal wegen Inversion, dann erhöhe ich Uds so lange bis sich der Kanal keilförmig verformt und abgeschnürt wird->Strom ist unabhängig von Uds->Stromquellenbereich.
Ich habe im Internet schon gesucht, aber keine befriedigende physikalische Begründung für die Abschnürung gefunden!?