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Alex N.

E-Mail

München,
18.10.2008,
18:06
 

Suche MOSFET mit ausgeführtem Bulk Anschluss (Bauelemente)

Hallo,

im Zusammenhang mit meinem ET Studium habe ich vor, einen (kleinen) DRAM Speicher aus diskreten Elementen zu bauen. Dieser soll dann als Anschauungsmittel dienen.

Nun besteht folgendes Problem:
Die Transistoren, die die Ansteuerung der einzelnen Kapazitäten übernehmen, müssen einen externen Bulk Anschluss besitzen, der auf gnd gelegt wird (http://upload.wikimedia.org/wikipedia/de/6/68/DRAM_Zelle.png).
Bei Standard MOSFETs ist der Bulk nunmal mit Drain/Source (n oder pFet) verbunden, wodurch ich die Funktion als Schalter nicht sicher stellen kann.
Es sollen n-MOSFets verwendet werden. Solange die Kapazität nicht geladen ist, besteht kein weiteres Problem, da dann die Gate-Source Spannung positiv ist. Wenn jedoch die Kapazität bereits geladen ist, kann der Transistor nicht mehr schalten, da Gate-Source = 0V ist.

Deswegen meine Frage:
Gibt es MOSFETs mit 4 Anschlüssen (Gate Drain Source Bulk)? Meine Suche in mehreren Onlineshops war erfolgslos, allerdings weiß ich auch nicht nach welchem Stichwort ich suchen sollte.

Vielen Dank für jede Antwort :-) !

Gruß

Altgeselle(R)

E-Mail

18.10.2008,
18:31

@ Alex N.

Suche MOSFET mit ausgeführtem Bulk Anschluss

» Hallo,
»
» im Zusammenhang mit meinem ET Studium habe ich vor, einen (kleinen) DRAM
» Speicher aus diskreten Elementen zu bauen. Dieser soll dann als
» Anschauungsmittel dienen.
»
» Nun besteht folgendes Problem:
» Die Transistoren, die die Ansteuerung der einzelnen Kapazitäten
» übernehmen, müssen einen externen Bulk Anschluss besitzen, der auf gnd
» gelegt wird
» (http://upload.wikimedia.org/wikipedia/de/6/68/DRAM_Zelle.png).
» Bei Standard MOSFETs ist der Bulk nunmal mit Drain/Source (n oder pFet)
» verbunden, wodurch ich die Funktion als Schalter nicht sicher stellen
» kann.
» Es sollen n-MOSFets verwendet werden. Solange die Kapazität nicht geladen
» ist, besteht kein weiteres Problem, da dann die Gate-Source Spannung
» positiv ist. Wenn jedoch die Kapazität bereits geladen ist, kann der
» Transistor nicht mehr schalten, da Gate-Source = 0V ist.
»
» Deswegen meine Frage:
» Gibt es MOSFETs mit 4 Anschlüssen (Gate Drain Source Bulk)? Meine Suche in
» mehreren Onlineshops war erfolgslos, allerdings weiß ich auch nicht nach
» welchem Stichwort ich suchen sollte.
»
» Vielen Dank für jede Antwort :-) !
»
» Gruß

Hallo,
diskrete MOSFETS mit herausgeführtem Bulk sind mir nicht
bekannt. Aber vielleicht funktioniert ja ein CD4007UB
von Texas Instruments. Die MOSFETS an Pin 4 und 9 haben
den Sourceanschluss herausgeführt, während Bulk auf Vss
(Pin7) liegt.
Grüße
Altgeselle

Altgeselle(R)

E-Mail

18.10.2008,
18:40

@ Altgeselle

gibts doch...

» » Hallo,
» »
» » im Zusammenhang mit meinem ET Studium habe ich vor, einen (kleinen)
» DRAM
» » Speicher aus diskreten Elementen zu bauen. Dieser soll dann als
» » Anschauungsmittel dienen.
» »
» » Nun besteht folgendes Problem:
» » Die Transistoren, die die Ansteuerung der einzelnen Kapazitäten
» » übernehmen, müssen einen externen Bulk Anschluss besitzen, der auf gnd
» » gelegt wird
» » (http://upload.wikimedia.org/wikipedia/de/6/68/DRAM_Zelle.png).
» » Bei Standard MOSFETs ist der Bulk nunmal mit Drain/Source (n oder pFet)
» » verbunden, wodurch ich die Funktion als Schalter nicht sicher stellen
» » kann.
» » Es sollen n-MOSFets verwendet werden. Solange die Kapazität nicht
» geladen
» » ist, besteht kein weiteres Problem, da dann die Gate-Source Spannung
» » positiv ist. Wenn jedoch die Kapazität bereits geladen ist, kann der
» » Transistor nicht mehr schalten, da Gate-Source = 0V ist.
» »
» » Deswegen meine Frage:
» » Gibt es MOSFETs mit 4 Anschlüssen (Gate Drain Source Bulk)? Meine Suche
» in
» » mehreren Onlineshops war erfolgslos, allerdings weiß ich auch nicht
» nach
» » welchem Stichwort ich suchen sollte.
» »
» » Vielen Dank für jede Antwort :-) !
» »
» » Gruß
»
» Hallo,
» diskrete MOSFETS mit herausgeführtem Bulk sind mir nicht
» bekannt. Aber vielleicht funktioniert ja ein CD4007UB
» von Texas Instruments. Die MOSFETS an Pin 4 und 9 haben
» den Sourceanschluss herausgeführt, während Bulk auf Vss
» (Pin7) liegt.
» Grüße
» Altgeselle

BSS83 von NXP (früher Philips) www.nxp.com

x y

18.10.2008,
19:52

@ Altgeselle

gibts doch...

» BSS83 von NXP (früher Philips) www.nxp.com

Und wegen der Verwechslungsgefahr: Nicht BSS83P!

Alex N.

E-Mail

München,
19.10.2008,
13:47

@ x y

gibts doch...

» » BSS83 von NXP (früher Philips) www.nxp.com
»
» Und wegen der Verwechslungsgefahr: Nicht BSS83P!



Vielen Dank für den Hinweis! Der BSS83 ist perfekt, auch wenn das Ding wahrscheinlich das im Verhältnis teuerste Bauteil ist, was ich jemanals gesehn hab... Vor allem wenn man weit über 100 braucht.
Beim Stückpreis von mindestens 40cent, muss man ja nciht lange rechnen :-P .

Gruß

Harald Wilhelms(R)

E-Mail

19.10.2008,
19:25

@ Alex N.

gibts doch...

» » » BSS83 von NXP (früher Philips) www.nxp.com
» »
» » Und wegen der Verwechslungsgefahr: Nicht BSS83P!
»
»
»
» Vielen Dank für den Hinweis! Der BSS83 ist perfekt, auch wenn das Ding
» wahrscheinlich das im Verhältnis teuerste Bauteil ist, was ich jemanals
» gesehn hab... Vor allem wenn man weit über 100 braucht.
» Beim Stückpreis von mindestens 40cent, muss man ja nciht lange rechnen :-P

Es war eben schon immer etwas teurer, einen besonderen
Geschmack zu haben. (Selbstbau eines DRAMs) Reicht zur
Demonstration nicht auch ein Aufbau mit 4x4=16 Speicher-
zellen?
Gruss
Harald