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Offroad GTI(R)

30.11.2022,
13:20

@ bigdie

Schaltung für H-Brücke mit 4 Zyklen und Hall-Sensor?

Was macht ihr euch denn wegen 2 oder 5nF Gatekapazität und Schaltverluste so viele Gedanken?
Ich sehe noch nicht mal ansatzweise eine Schaltung...
Und die anvisierten bis zu 300ms Periodendauer sind auch alles andere als hochfrequent.

Für einen integrierten Treiber ist das doch kein Problem, und auch mit einem diskreten Aufbau sind die geringen Frequenzen beherrschbar. Er braucht ja wohl keine Anstiegszeiten im ns-Bereich.

bigdie(R)

01.12.2022,
06:59

@ Offroad GTI

Schaltung für H-Brücke mit 4 Zyklen und Hall-Sensor?

» Was macht ihr euch denn wegen 2 oder 5nF Gatekapazität und Schaltverluste
» so viele Gedanken?
» Ich sehe noch nicht mal ansatzweise eine Schaltung...
» Und die anvisierten bis zu 300ms Periodendauer sind auch alles andere als
» hochfrequent.
»
» Für einen integrierten Treiber ist das doch kein Problem, und auch mit
» einem diskreten Aufbau sind die geringen Frequenzen beherrschbar. Er
» braucht ja wohl keine Anstiegszeiten im ns-Bereich.
1/2 Periode 150 ms
und um die Verluste im Mosfet so gering zu halten wie du denkst, also wenn man mit 10mOhm rechnet musst du den in 2-3ms umladen.
Und wenn du das nicht schaffst, ist die Verlustleistung am Ende gleich oder größer Bipolartransistor, das vergessen aber viele.
Beim Bipolaren hast du statisch bei 4A 2W pro Transistor, da der aber ja nur 50% Ein ist, ist es 1W. Dafür brauchst du keinen Kühlkörper selbst bei 4A

Eierschale(R)

03.12.2022,
20:15

@ bigdie

Schaltung für H-Brücke mit 4 Zyklen und Hall-Sensor?

» » » »
» » » » Eingeschaltet hat ein moderner Mosfet weniger als 10mOhm, zumindest
» in
» » » dem
» » » » Spannungsbereich um 30V. Bei 4A haben wir dann 40mV, ergibt eine
» » » » Verlustleistung von 0,16W, jedenfalls im Gleichstrombereich. Beim
» » » bipolaren
» » » » Transistor ist man da ist oft schon bei 0,5 bis 1V, ergibt 2 bis 4W
» » » » Verlustleistung pro Transistor, da braucht man schon ein kleines
» » » Kühlblech.
» » » um 10mOhm zu haben, musst du ca. einen 90-100A Mosfet nehmen. Der hat
» » dann
» » » ca. 4-5nF Gate Kapazität. Und diese musst du für PWM je nach Frequenz
» » sehr
» » » schnell laden und Entladen, bist du da zu langsam, kommt er gar nicht
» in
» » » den Bereich 10 mOhm. Und schaffst du es, hast du die Verluste in der
» » » Ansteuerung.
» »
» » Ich dachte an so etwas wie: P0903BDG, der hat weder 90A noch 4nF.
» Der hat dann halt 50A, 1,2-1,8nF und bei hohen Frequenzen hast du das
» gleiche Problem. Außerdem ist der auch super Einsteigerfreundlich in der
» Bauform

Vorhin habe ich mal einen CEB703AL an einen 555 angeschlossen und ihn mit 4,4kHz getaktet. Bei 4A und 12V erreichte er ohne jede Kühlung auf dem Steckbrett nach ein paar Minuten eine Temperatur von 90°C. Auf eine Platine gelötet wird er sicher deutlich kühler bleiben.