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» Oder meintest Du das SSR statt der Mosfets?

Ja.


» » Wenn du alle ca. 20ms ganz kurz aus- und gleich wieder einschaltest,
» dann
» » wirds erheblich einfacher.
»
» Ich dachte, das Gegenteil ist der Fall. Der Schaltvorgang ist doch genau
» das was den Mosfet belastet.

Nein, man muss ja nur schnell genug schalten.

Okay, ich geb's auf und baue das Layout um. Ich glaube alles andere macht die Sache nur so kompliziert, dass ich es mit meinen rudimentären Elektronikkenntnissen nicht mehr bewältigen kann. Ich schalte also Low-Side. Vielleicht finde ich ja noch einen Low-Side Treiber mit Ladungspumpe, der genügend Power hat. Ansonsten schalte ich mit 5V. Das habe ich ja schon erfolgreich ausprobiert.

Vielen Dank nochmal an alle, die mir hier weiter geholfen haben.

» Vielleicht finde ich ja noch einen Low-Side Treiber mit
» Ladungspumpe, der genügend Power hat.

Du hast doch die Akkuspannung zur Verfügung.


» Ansonsten schalte ich mit 5V. Das
» habe ich ja schon erfolgreich ausprobiert.

Hat halt zufällig funktioniert. Mit der nächsten Charge MOSFETs siehts dann anders aus.

» P-Channel scheidet hier aus, weil der Widerstand (RDS) viel zu groß ist.
» Ich möchte bis zu 120A schalten. Der IPT012N08N5 hat einen RDSon von
» 1,2mOhm. Wenn ich 4 Stück parallel schalte ergibt das also einen Widerstand
» von 0,3mOhm. Bei 120A wäre der Spannungsabfall also 36mV und die
» Verlustleistung 4,32W, also 1,08W pro Mosfet. Das wäre der Idealfall

Mal generell:
Du willst eine maximae Leistung von immerhin rund 8,4kW schalten. Welche Verluste lässt du denn maximal zu?
Die nach deiner Rechnung 4,32W sind etwa 5 x 10^-4 % von der Schaltleistung. Wenn du alternativ P-Kanal (mit z.B. R-DSon = 10mR) einsetzen würdest, liegen die on-Verluste (grob < 40W) immer noch bei unter 0,4%.
Du hättest aber deutlich weniger Probleme mit der Ansteuerung, d.h. schaltungtechnisch einfacher, da deutlich weniger G-Kapazitäten und daher schnellerer Schaltvorgang mit geringeren Schaltverlusten möglich.

Man kann eben nicht immer alles haben....

Im Übrigen habe ich schon G-Treiber gesehen, die m.W. bis zu 1A Spitzenstrom bereitstellen können. Ich denke, du MUSST im Bereich von 100ns bis ca. 1us kommen, sonst geben die FETs mögichweise Rauchsignale, weil du sie zu lange im linearen Bereich (u.U. unter Verletzung der SOA-Kriterien) fährst.

Schönen Sonntag noch
Micha

--
Grüße
Michael

» » Vielleicht finde ich ja noch einen Low-Side Treiber mit
» » Ladungspumpe, der genügend Power hat.
»
» Du hast doch die Akkuspannung zur Verfügung.

Ja, das stimmt. Ich könnte also prinzipiell mit dem uC einen Transostor schalten, der dann den Mosfet schaltet. Nur wie entlädt sich der Mosfet dann möglichst schnell, wenn der Transistor wieder aus ist? Mir fehlen einfach die Grundlagen um das korrekt umzusetzen... Wenn Du mir da noch ein wenig Hilfestellung geben könntest wäre ich sehr dankbar.

» » Ansonsten schalte ich mit 5V. Das
» » habe ich ja schon erfolgreich ausprobiert.
»
» Hat halt zufällig funktioniert. Mit der nächsten Charge MOSFETs siehts dann
» anders aus.

Ich lese das Datenblatt hier ein bisschen anders, weil zumindest in dem Diagramm ja eindeutig auch der RDSon bei 5V angegeben ist. Aber Du hast schon recht. Mit einer höheren Spannung bin ich auf der sicheren Seite.

@Michl
» Mal generell:
» Du willst eine maximae Leistung von immerhin rund 8,4kW schalten. Welche Verluste lässt du denn maximal zu?

Die maximale Leistung ist 15V*120A, denn bei 15V schalten die Mosfets ja aus. Also 1800W. Und das ist wirklich der worst-case.

» Die nach deiner Rechnung 4,32W sind etwa 5 x 10^-4 % von der Schaltleistung. Wenn du alternativ P-Kanal (mit z.B. R-DSon = 10mR) einsetzen würdest, liegen die on-
» Verluste (grob < 40W) immer noch bei unter 0,4%.

Naja, mit den N-Channel Mosfets bleibe ich bei knapp über 1W pro Mosfet und kann auf eine aufwendige Kühlung verzichten. Das macht den mechanischen Aufbau schon sehr viel einfacher.

» Du hättest aber deutlich weniger Probleme mit der Ansteuerung, d.h. schaltungtechnisch einfacher, da deutlich weniger G-Kapazitäten und daher schnellerer
» Schaltvorgang mit geringeren Schaltverlusten möglich.

Da hast Du schon recht aber der "hohe" Widerstand auf der Drain-Source-Strecke bringt dann eben wieder andere Schwierigkeiten wie die Wärmeabfuhr mit sich.