Formelsammlung: Transistor als Schalter
1. Kollektorstrom (IC):
\[ I_C = \beta \cdot I_B \]
- \( I_C \): Kollektorstrom
- \( \beta \): Stromverstärkungsfaktor (h_FE)
- \( I_B \): Basisstrom
2. Basisstrom (IB):
\[ I_B = \frac{V_{BB} - V_{BE}}{R_B} \]
- \( I_B \): Basisstrom
- \( V_{BB} \): Basisspannung
- \( V_{BE} \): Basis-Emitter-Spannung (typisch 0,7V für Siliziumtransistoren)
- \( R_B \): Basiswiderstand
3. Kollektorspannung (VCE) im Sättigungsbereich:
\[ V_{CE(sat)} \approx 0.2V \]
- \( V_{CE(sat)} \): Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
4. Kollektor-Emitter-Spannung (VCE):
\[ V_{CE} = V_{CC} - I_C \cdot R_C \]
- \( V_{CE} \): Kollektor-Emitter-Spannung
- \( V_{CC} \): Versorgungsspannung
- \( I_C \): Kollektorstrom
- \( R_C \): Kollektorwiderstand
5. Schaltzustände:
- Ein-Zustand (Sättigung): \( V_{CE} \approx V_{CE(sat)} \)
- Aus-Zustand (Sperrung): \( I_C \approx 0 \)
6. Schaltverstärkung:
\[ \beta_{min} = \frac{I_C}{I_B} \]
- \( \beta_{min} \): Mindeststromverstärkung für sicheren Schaltbetrieb
7. Leistung im Transistor (P):
\[ P = V_{CE} \cdot I_C \]
- \( P \): Verlustleistung
- \( V_{CE} \): Kollektor-Emitter-Spannung
- \( I_C \): Kollektorstrom
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