Formelsammlung: Rechteckgenerator mit Transistoren
Frequenz des Rechtecksignals
\[ f = \frac{1}{T} \]
- \( f \): Frequenz des Rechtecksignals (in Hertz, Hz)
- \( T \): Periodendauer des Rechtecksignals (in Sekunden, s)
Periodendauer des Rechtecksignals
\[ T = T_{high} + T_{low} \]
- \( T \): Periodendauer des Rechtecksignals (in Sekunden, s)
- \( T_{high} \): Dauer des High-Zustands (in Sekunden, s)
- \( T_{low} \): Dauer des Low-Zustands (in Sekunden, s)
Dauer des High-Zustands
\[ T_{high} = R_1 \cdot C \cdot \ln\left(\frac{V_{CC} - V_{CE(sat)}}{V_{CC} - V_{BE(on)}}\right) \]
- \( T_{high} \): Dauer des High-Zustands (in Sekunden, s)
- \( R_1 \): Widerstand (in Ohm, Ω)
- \( C \): Kapazität (in Farad, F)
- \( V_{CC} \): Versorgungsspannung (in Volt, V)
- \( V_{CE(sat)} \): Sättigungsspannung des Transistors (in Volt, V)
- \( V_{BE(on)} \): Basis-Emitter-Spannung des Transistors im eingeschalteten Zustand (in Volt, V)
Dauer des Low-Zustands
\[ T_{low} = R_2 \cdot C \cdot \ln\left(\frac{V_{CC} - V_{CE(sat)}}{V_{CC} - V_{BE(on)}}\right) \]
- \( T_{low} \): Dauer des Low-Zustands (in Sekunden, s)
- \( R_2 \): Widerstand (in Ohm, Ω)
- \( C \): Kapazität (in Farad, F)
- \( V_{CC} \): Versorgungsspannung (in Volt, V)
- \( V_{CE(sat)} \): Sättigungsspannung des Transistors (in Volt, V)
- \( V_{BE(on)} \): Basis-Emitter-Spannung des Transistors im eingeschalteten Zustand (in Volt, V)
Verhältnis von High- und Low-Zustand
\[ \text{Duty Cycle} = \frac{T_{high}}{T} \times 100\% \]
- \(\text{Duty Cycle}\): Tastverhältnis (in Prozent, %)
- \( T_{high} \): Dauer des High-Zustands (in Sekunden, s)
- \( T \): Periodendauer des Rechtecksignals (in Sekunden, s)
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