Formelsammlung: Berechnung der Restspannung beim Feldeffekttransistor
1. Drain-Source-Spannung (V_DS)
\[
V_{DS} = V_D - V_S
\]
- \( V_D \): Drain-Spannung
- \( V_S \): Source-Spannung
2. Gate-Source-Spannung (V_GS)
\[
V_{GS} = V_G - V_S
\]
- \( V_G \): Gate-Spannung
- \( V_S \): Source-Spannung
3. Drainstrom (I_D) im linearen Bereich
\[
I_D = k \left[ (V_{GS} - V_{th})V_{DS} - \frac{V_{DS}^2}{2} \right]
\]
- \( k \): Transkonduktanzparameter
- \( V_{GS} \): Gate-Source-Spannung
- \( V_{th} \): Schwellenspannung
- \( V_{DS} \): Drain-Source-Spannung
4. Drainstrom (I_D) im Sättigungsbereich
\[
I_D = \frac{k}{2} (V_{GS} - V_{th})^2
\]
- \( k \): Transkonduktanzparameter
- \( V_{GS} \): Gate-Source-Spannung
- \( V_{th} \): Schwellenspannung
5. Restspannung (V_{DS(sat)}) im Sättigungsbereich
\[
V_{DS(sat)} = V_{GS} - V_{th}
\]
- \( V_{GS} \): Gate-Source-Spannung
- \( V_{th} \): Schwellenspannung
6. Transkonduktanzparameter (k)
\[
k = \frac{\mu_n C_{ox} W}{L}
\]
- \( \mu_n \): Beweglichkeit der Elektronen
- \( C_{ox} \): Oxidkapazität pro Flächeneinheit
- \( W \): Breite des Kanals
- \( L \): Länge des Kanals
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