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Stromfluß bei NAND Gatter (Elektronik)

verfasst von cmyk61 , Edenkoben, Rheinland Pfalz, 13.03.2024, 09:10 Uhr
(editiert von cmyk61 am 13.03.2024 um 09:16)

Also sooo speziell sind die Randbedingungen nun garnicht.

Aus den genannten Diagrammen kann man das zwar detaillierter ablesen - aber unterm Strich bleibt folgende Erkenntnis:

1) je höher der Basisstrom, desto geringer wird die UCE sat - sie strebt gegen ein paar dutzend Millivolt.

2) je höher der Kollektorstrom desto größer wird UCE sat.

Fazit:
Ic auf geringen Werte halten (ist bei max 100mA bequem der Fall)
Ib so hoch wie vertretbar

Mit einem 470 Ohm Widerstand Kollektor gegen 9V liegt man bei ca 20mA Ic
Ib bei 100k Basisvorwiderstände ist etwas mickrig. Mit 10k liegen wir bei etwa 1mA


Gruß
Ralf

» » » Wenn wir davon ausgehen, daß es sich bei den Transistoren um Feld-
» Wald-
» » » und Wiesentypen handelt, fallen auch bei voller Aufsteuerung immer
» noch
» » 0,7
» » » bis 0,8 V darüber ab. Das ganze mal 2 ergibt 1,4 bis 1,6 V, das reicht
» » » durchaus, um modernen LEDs einen schwachen Schimmer zu entlocken.
» »
» » Aus dem Datenblatt eines BC548, bei Mouser gefunden:
» »
» »
» Solche oder ähnliche Werte finden sich in jedem Datenblatt.
» Sie beziehen sich aber auf sehr spezielle Randbedingungen.
» Das Thema hatten wir neulich erst (praktische Messung und Verweis auf ein
» wesentlich aussagekräftigeres parametrisches Diagramm):
» https://www.elektronik-kompendium.de/forum/forum_entry.php?id=317938&page=0&category=all&order=time

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