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IGBT sicher sperren (Elektronik)

verfasst von Sel(R), Radebeul, 01.08.2020, 15:24 Uhr
(editiert von Sel am 01.08.2020 um 15:25)

Wenn ich einen fetten IGBT mit 40...100 Volt betreibe bei Strömen bis 50 Ampere, so ist dieses Bauteil rundum am Lachen (z.B. ein SKM 200GB128D). Gebe ich 12...15 Volt ans Gate, schaltet der IGBT zuverlässig durch. Zum Sperren schiebe ich das Gate mittels Transistor auf Masse. Dann liegen aber immer noch (bedingt durch interne Widerstände) bis 1 Volt am Gate an. Theoretisch könnte diese Spannung den IGBT zum Durchschalten veranlassen. Also bei hohem Abschaltstrom, vielleicht auch bei hoher Abschaltspannung (induziert von der Last, trotz Schutzdiode) oder zusätzlich noch höheren Temperaturen.

Wenn ich jetzt statt Transistor einen niederohmigen Mosfet gegen Masse nehme, könnte ich die Situation damit verbessern. Oder ist es wirklich besser, um ganz sicher zu gehen, das Gate gegen eine negative Spannung von 8...15 Volt zu legen? Schaltet der IGBT dann auch schneller? Ich plane Schaltfrequenzen bis 25 kHz für PWM. Probiert habe ich bisher bis 5 kHz, das klappt schonmal.

LG Sel

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Ich bin ein Elektronikbastler, der nur durch Schmerzen begreift, was schlauere Leute im Forum an Wissen vermitteln können.



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