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Board-AnsichtIGBT (Elektronik)
verfasst von cmyk61
, Edenkoben, Rheinland Pfalz, 08.10.2023, 09:30 Uhr
Hallo zusammen,
ich persönlich bin ein Freund von Application-Notes. Nicht umsonst geben Hersteller den Entwicklern solche Infos zur Hand.
Zum IGBT: welche ANs sind hier besonders zu empfehlen?
Gruß
Ralf
»
» Normalerweise ist zwischen dem Gate und dem Emitter bei dem IGBT G25H1203
» eine Kapazität von ca. 3 - 4 nF zu messen...
» Zwischen Gate und Kollektor eine von 310 pF....
» Nun hab ich es doch geschafft, daß zwischen dem Gate und dem Emitter der
» Bauteilemesser eine Diode mit Kathode am Gate , Anode am Emitter , anzeigt
» und zwischen Gate und Kollektor einen Widerstand von ca. 20 Ohm !
» Zwischen Kollektor und Emitter ist auch keine Kapazität mehr, sondern nur
» die Bodydiode angezeigt , welche jedoch eine andere Flussspannung aufweist
» ( 900 mV ) , als beim intakten IGBT des selben Typs. Da sind es ( 2,45 V
» / 610 pF )
» das Rätsel ist nun ....wodurch kann so etwas passieren, wobei keine hohen
» zu Stöme flossen.....
» habe nur das Gate mit 10ms Pulsen von 16 Volt versorgt und die Spannung
» zwischen Kollektor und Emitter war unter 10 Volt... wenn auch bei sehr
» niedrigem Widerstand.
»
» kennt sich jemand hier damit aus, womit IGBTs gar keine Freude haben ?
»
» lG
Gesamter Thread:
, 07.10.2023, 14:47 (Elektronik), 07.10.2023, 14:58