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IGBT (Elektronik)

verfasst von Zahnlos72, 07.10.2023, 14:47 Uhr

Hallo !

Normalerweise ist zwischen dem Gate und dem Emitter bei dem IGBT G25H1203 eine Kapazität von ca. 3 - 4 nF zu messen...
Zwischen Gate und Kollektor eine von 310 pF....
Nun hab ich es doch geschafft, daß zwischen dem Gate und dem Emitter der Bauteilemesser eine Diode mit Kathode am Gate , Anode am Emitter , anzeigt und zwischen Gate und Kollektor einen Widerstand von ca. 20 Ohm !
Zwischen Kollektor und Emitter ist auch keine Kapazität mehr, sondern nur die Bodydiode angezeigt , welche jedoch eine andere Flussspannung aufweist ( 900 mV ) , als beim intakten IGBT des selben Typs. Da sind es ( 2,45 V / 610 pF )
das Rätsel ist nun ....wodurch kann so etwas passieren, wobei keine hohen zu Stöme flossen.....
habe nur das Gate mit 10ms Pulsen von 16 Volt versorgt und die Spannung zwischen Kollektor und Emitter war unter 10 Volt... wenn auch bei sehr niedrigem Widerstand.

kennt sich jemand hier damit aus, womit IGBTs gar keine Freude haben ?

lG

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