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und bei FET's isses genau umgekehrt ... (Telekommunikation)

verfasst von schaerer , Kanton Zürich (Schweiz), 22.03.2009, 20:58 Uhr

» » im Prinzip schon klar, dass ein schlechter Leiter, ein
» (Quasi-)Halbleiter
» » einen negativen TK haben muss, weil hoehere Temperatur = stärkere
» » Braunsche Bewegung = mehr freie Elektronen.
»
» parallele Transistoren: schaukeln sich durch Erwärmung auf, daher
» Symmetrierungswiderstand in den Emitter.

Wobei da geht s nicht (nur) um einen Widerstand beim bipolaren Transistor, sondern um den negativen TK der Basis-Emitter-Schwellenspannung von typisch -2mV/K. Dies bewirkt einen unerwünschten sich lokal aufschaukelnden Mitkopplungseffekt.

» FET's: da isses genau umgekehrt und man darf die ohne Symmetrierung
» parallel schalten.

Ja, ich weiss. Hmm, das ist aus der Sicht der temperaturabhängigen Braunschen Bewegunsgenergie eigentlich merkwürdig, aber ich weiss, es ist Tatsache. Wie erklaert sich das auf physikalischer Ebene....?

Wenn ich mal mehr Zeit habe, gehe ich dem etwas nach. Eigentlich möchte ich von der Physik her verstehen.

--
Gruss
Thomas

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