Hi,
wenn Du die RAM-Speichermodule meinst, dann gibt es eine reihe von Tests, die die Funktion prüfen und garantieren.
RAM allgemein:
Bitfolgen einschreiben über alle Adressen unter berücksichtigung der Geometrie der Speicherzellen.
z.B. bei 8-bit-Organisation wird immer 0x55 und 0xAA nacheinander eingeschrieben - in einem 2. Durchlauf dann 0xAA und 0x55. - Das zeigt, ob in dieser physischen Geometrie alle Bits unabhängig vom Nachbarn funktionieren.
Dazu kommen dann noch die 0x00 und 0xFF-Zyklen. oder auch sogenannte Bit-Shift-Zyklen (je nach Geometrie der Speicherzellen und der Abfragematrix), bei denen einzelne Bits 0-1-0-Phasenwechsel machen.
Bei manchen Bausteinen ist auch ein Adressierungstest notwedig, bei dem nachgewiesen wird, ob ein Datum auf der richtigen Adresse liegt.
Bei S-RAM sind die maximalen Refresh-Zeiten nachzuweisen.
Bei D-Ram die Brückungszeit und der 'Null-Zustand' soweit definiert.
NVRam haben eigene zusätzliche Spezifikationen, die einerseits die serielle Bitorganisation, die Adressierung und die maximale Change-Häufigkeit beschreiben. Bis auf die Change-Häufigkeit kann alles getestet werden. Diese wird durch zerstören eines ausgewählten Chips (Stichprobe) aus jeder produzierten Charge ermittelt.
Bei NV-Rams oder EEPROMS ist auch ein test der Speicherung notwendig. Dieser wird durch kurzes Abschalten (3sekunden) der Spannungsversorgung mit kurzschließen erreicht.
Zu unterscheiden ist außerdem ein Chargentest auf volle Spezifikation oder der schenelle Serientest auf Funktion und Eckparameter.
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