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Guten Tag,

Ich habe eine Vollbrücke mit 4 N-Channel MOSFETs.

Ich möchte Gate Treiber nutzen, um die N-Channel MOSFETs schnell anzusteuern.
Mein Problem liegt bei den high side MOSFETs, da ich diese nicht in der normalen Richtung betreibe, sonder Source an positive (Eingangs-) Spannung und Drain über Verbraucher an GND.

Die Eingangsspannung ist sehr klein gegenüber der IC-Versorgungsspannung.

Jetzt habe ich gelesen, dass eine Schaltung benötigt wird, die auf Source des MOSFETs bezogen ist.

Würde das in meiner Schaltung eine zu starke Störung erzeugen, da mein Source-Weg zu lang ist? Bzw. wie soll ich die Schaltung aufbauen, soll ich die Komponenten an Drain anschließen, statt an Source, da mein LOAD-GND bezug zum Drain und nicht zur Source ist?

Vielen Dank Karl

» Ich habe eine Vollbrücke mit 4 N-Channel MOSFETs.
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» Ich möchte Gate Treiber nutzen, um die N-Channel MOSFETs schnell
» anzusteuern.

Da nimmt man zwei ganz normale Halbbrückentreiber.


» Mein Problem liegt bei den high side MOSFETs, da ich diese nicht in der
» normalen Richtung betreibe, sonder Source an positive (Eingangs-) Spannung
» und Drain über Verbraucher an GND.

Das kann nicht funktionieren, der MOSFET hat eine strukturbedingte Diode von Source nach Drain, parallel zum Kanal.

» » Ich habe eine Vollbrücke mit 4 N-Channel MOSFETs.
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» » Ich möchte Gate Treiber nutzen, um die N-Channel MOSFETs schnell
» » anzusteuern.
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» Da nimmt man zwei ganz normale Halbbrückentreiber.
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» » Mein Problem liegt bei den high side MOSFETs, da ich diese nicht in der
» » normalen Richtung betreibe, sonder Source an positive (Eingangs-)
» Spannung
» » und Drain über Verbraucher an GND.
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» Das kann nicht funktionieren, der MOSFET hat eine strukturbedingte Diode
» von Source nach Drain, parallel zum Kanal.

Jedoch das Ansteuern selbst funktioniert und muss auch so sein, da die Diode in Durchflussrichtung sein soll.

» Jetzt habe ich gelesen, dass eine Schaltung benötigt wird, die auf Source
» des MOSFETs bezogen ist.
Sicherlich. Es ist nun mal die Gate-Source Spannung, die für das Durchschalten des Kanals relevant ist.

» Würde das in meiner Schaltung eine zu starke Störung erzeugen, da mein
» Source-Weg zu lang ist?
Deine Schaltung kennen wir ja nicht. Und was ist ein langer Source-Weg?

» die Komponenten an Drain anschließen, statt an Source, da mein LOAD-GND
» bezug zum Drain und nicht zur Source ist?
Nein, wo du die Last anschließt, ist dem MOSFET egal. Es ist ihm auch egal, was DU als LOAD-GND bezeichnest. Im einfachsten Fall nimmst du einen DCDC-Wandler, und einen isolierten FET-Treiber.

» Jedoch das Ansteuern selbst funktioniert und muss auch so sein, da die Diode in Durchflussrichtung sein soll.
Wenn es funktioniert, gibt es doch kein Problem...

» » Das kann nicht funktionieren, der MOSFET hat eine strukturbedingte Diode
» » von Source nach Drain, parallel zum Kanal.
»
» Jedoch das Ansteuern selbst funktioniert und muss auch so sein, da die
» Diode in Durchflussrichtung sein soll.

Dann nimm statt dem MosFet eine Diode.
Und wenn es doch funktioniert, freu dich.
(ich bezweifen das aber)
Stell ein Schaltbild rein, in dem die Versorgungsspannung der FET-Brücke und der Treiber eingezcichnet ist und G-S-D der entsprechenden FETs.
Kannst ja die Bodydiode des FET auch mal einzeichnen (und dich dann evtl wundern)

hws

IR2104 bin total begeistert davon. Einfacher geht es kaum.

http://www.elektronik-kompendium.de/forum/board_entry.php?id=193813#p193954

» IR2104 bin total begeistert davon. Einfacher geht es kaum.
Den kann er Aufgrund seiner verdrehen Beschaltung aber nicht einsetzten.