Suchergebnisse für mosfet
MOSFET
https://www.elektronik-kompendium.de/sites/praxis/bauteil_mosfet.htm
Ein MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) ist eine spezielle Art eines FET (Field-Effect Transistor), bei dem die Steuerung über eine isolierte Gate-Elektrode mit einer dünnen Oxidschicht erfolgt.
MOS-Feldeffekttransistor(MOS-FET)
https://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/0510161.htm
Lowpower-MOSFET-Minikurs und eine praktische Anwendung als Batterie-Betriebsspannung-Ausschaltverzögerung von Thomas Schaerer
Lowpower-MOSFET, Batterie-Abschaltverzögerung (BS170, BC560 BC517, Darlington, Highsite-Power-MOSFET)
https://www.elektronik-kompendium.de/public/schaerer/battoff.htm
In diesen Grundlagenkursen erfährt man etwas über die zwei Arten von Feldeffekttransistoren, den Sperrschicht-FET (JFET) und den Metall-Oxyd-Silizium-FET (MOSFET). Beim JFET ist das Gate durch einen PN- oder NP-Übergang vom Drain-Source-Kanal gekoppelt. Beim MOSFET ist dies eine extrem dünne isolierende Siliziumoxydschicht (SiO2).
Bausatz: Ausgangstreiber mit MOSFET
https://www.elektronik-kompendium.de/sites/praxis/bausatz_ausgangstreiber_mosfet.htm
Dieser Bausatz entspricht einem MOSFET als Schalter, der als Ausgangstreiber für eine digitale Schaltung oder ein digitales Bauteil dient. Digitale Schaltungen eignen sich häufig nicht, um Bauteile oder Geräte mit einem hohen Strom oder eine hohe Spannung zu schalten.
FET - Feldeffekttransistor
https://www.elektronik-kompendium.de/sites/praxis/bauteil_fet.htm
Ein FET (Feld-Effekt-Transistor) ist ein allgemeiner Begriff für Transistoren, die mit einem elektrischen Feld (Spannung) gesteuert werden. Dazu gehören JFETs (Junction-FETs) und MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor-FETs). Im Vergleich dazu muss ein bipolarer Transistor mit Strom gesteuert werden.
Schalten und Steuern mit Transistoren II * Sättigung Ladungsträger Miller-Effekt BJT MOSFET
https://www.elektronik-kompendium.de/public/schaerer/powsw2.htm
Da wir es hier auch mit MOSFETs zu tun haben, stellt sich die Frage, ob es diesen Sättigungseffekt durch die Anreicherung von Ladungsträgern auch gibt. Nein, den gibt es nicht beim MOSFET. Beim MOSFET - oder generell bei FETs (z.B. J-FET) - muss die Gate-Source-Kapazität geladen werden, ehe der FET leiten und schalten kann.
JFET - Sperrschicht-Feldeffektransistoren
https://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/1101211.htm
Ein besonderer Vorteil ist ihr großer Eingangswiderstand, der eine leistungslose Steuerung ermöglicht. Der FET eignet sich auch für hochfrequente Anwendungen. Aber, wenn der sehr hohe Eingangswiderstand im Vordergrund steht, dann kann die JFET- oder MOSFET-Schaltung nicht auch noch für ...
LM317 mit elektronischer Sicherung -- LM317 LM358 IRF9Z34N (MOSFET) --
https://www.elektronik-kompendium.de/public/schaerer/ef317.htm
Einschalt-Stromimpuls messen: Es geht auch einfacher und ohne die Test-Schaltung mit den Transistoren T1t, T2t und T3t (t für Test). Aber der Leitungsunterbruch zwischen der Schmelzsicherung F (Notfall!) und der Source (S) des MOSFET T1 muss sein, wegen dem Strommess-Shuntwiderstand Rsh.
Schalten und Steuern mit Transistoren III (details)
https://www.elektronik-kompendium.de/public/schaerer/powsw3.htm
Es gibt MOSFETs mit sehr kleinen Gate-Source-Spannungen zum Schalten. Diese sind nicht mehr so selten wie auch schon, aber es gibt sie in der Regel nur im SMD-Gehäuse. Das ist verständlich, weil die analogen und digitalen ICs der modernen 3.3V-Elektronik generell in SMD ausgeführt sind.