Das urspr\u00fcngliche Thema dieses Elektronik-Minikurses war und ist das praxisbezogene Erlernen einer einfachen Transistorschaltung mit bipolaren Transistoren (BJT) zum schnellen Schalten von Spannungen mit kleinen Str\u00f6men. Man kann universelle Transistoren einsetzen, die haupts\u00e4chlich f\u00fcr niederfrequente analoge Anwendungen (Verst\u00e4rker, Filter) gedacht sind, sofern die niedrige Schaltgeschwindigkeit gen\u00fcgt. Was bei diesen NF-Transistoren t\u00e4uscht, ist die oft hohe Transitfrequenz von mehr als 100 MHz. Man denkt da leicht, das sind ja nur 10 ns und damit l\u00e4sst sich leicht auch ein schnelles Ein- und Ausschalten von Spannungen realisieren. Aber ganz so einfach ist das nicht. Da muss man schon Transistoren suchen, welche Wertangaben in den Einschalt-(Turn-On-Time), Speicher- (Storage-Time) und Ausschaltzeiten (Turn-Off-Time) enthalten und diese Werte m\u00fcssen, wenn notwendig, im 10ns-Bereich oder sogar darunter liegen.<\/p>\n
In einem sp\u00e4teren Update wurde das Thema zum Schalten mit Transistoren mit MOSFETs erweitert. Speziell dann wenn man mit hohem Eingangswiderstand schalten will, gibt es das Problem mit dem Miller-Effekt. Diesen gibt es nat\u00fcrlich ebenso beim BJT und auch bei den Vakuum-R\u00f6hren von anno dazumal. Jedes verst\u00e4rkende Element hat dieses Problem. Ein weiterer Geschwindigkeitsd\u00e4mpfer ist der S\u00e4ttigungs-Effekt beim BJT. Wie man damit umgeht, liest man in diesem Minikurs und ist hier im Titelbild mit Bild A2 angedeutet. Kombiniert man die beiden Schaltungen A1 und A2 zu einer Schaltung A3, l\u00f6st man beide Probleme zugleich. Man reduziert den Miller-Effekt und den S\u00e4ttigungs-Effekt. Wozu der unkonventionelle Widerstand R? dient, liest man ebenfalls in diesem Minikurs.<\/p>\n
AKTUELLES UPDATE: Hier wird eine Methode vorgestellt, wie man beim Runterschalten von Ue auf GND, mit Hilfe eines zus\u00e4tzlichen PNP-Transistors (BJT), Ladungstr\u00e4ger aus der Basis des schaltenden NPN-Transistors ausr\u00e4umen kann. Bild B2 unterscheidet sich von Bild B1, dass zus\u00e4tzlich der Millerkiller-Kondensator zum Einsatz kommt, um den Miller-Effekt zu reduzieren. Dies betrifft signifikant den Einschaltvorgang des Schalt-NPN-Transistor\u00a0 und zwar so sehr, dass z.B. eine Flankenzeit von 1 \u00b5s auf 50 ns reduziert wird mit einer Kapazit\u00e4t von nur 1 nF. Es gibt dazu ein praktisches Experiment.<\/p>\n