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Frage zu MOSFETS parallel (Elektronik)
» » » » (mit dem Laden dauert es einige Sekunden, ich
» » » weiß
» » » » nicht, wieso):
»
» Was meinst Du mit laden ?
»
Das Laden der Seite mit der Schaltung des SSTC: http://www.oocities.org/tjacodesign/tesla2/tesla2.html
» Kannst Du mal mit dem Oszi schauen wie die Spannung an den Gates aussieht ?
Das geht momentan nicht, weil ich vorne im Zimmer so vieles noch rumliegen habe und um das mit meinem Oszi und so zu messen, geht grad nicht.
» ...und auch zwischen Source und Drain ??? wenn möglich ( wäre sehr
» interessant )
» bei mir ist das ja zwischen S und D auch nur mit Primärspule sehr
» hochvoltig ( deshalb habe ich zur Begrenzung dort ne mächtige
» Zenerdiodenanordnung zur Begrenzung )
» weiss auch nicht recht wieso dort so ne hohe Spannung induziert wird ....
»
» Was hat den der BUZ326 für ne GS Kapazität ? den hab ich nicht im
» Repertoire....
Das müßte im Datenblatt stehen, weiß ich jetzt nicht. Aber der BUZ326 ist relativ teuer, ich ziehe auch einen leistungsstärkeren IRFP460 vor. Ob jetzt ein BUZ oder IRFP, mehr oder weniger ns Verzugszeit hat, denke ich jetzt, daß das bei ca. 270kHz Schalt-Frequenz "nur" einer Impulslänge von 3,7µs entspricht, man sagt ja, daß nach 5 Tau die (FET GS-) Kapazität voll ist, also 18,5µs. Und da ist es dem MOSFET egal, der 15ns schnell ist. Denke ich jetzt, man belehre mich eines Besseren.
»
»
» lG
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Matthes
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