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Transistor 2SC5022 überrascht mich (Bauelemente)

verfasst von GST, 11.10.2021, 20:58 Uhr

» » » » » Doch, durchschlagen aufgrund der Spannung kann er. Dann reicht
» auch
» » » » relativ
» » » » » kleine Leistung/Energie weil der Durchschlag punktuell erfolgt -
» » siehe
» » » » ESD.
» » » »
» » » » ESD ist bei Bipolatransistoren nicht so das Problem, da keine
» » » » hochisolierenden Schichten vorleigen
» » »
» » » ESD war ein Beispiel, es ist aber nicht nur die Verlustleistung nach
» » » Datenblatt ausschlaggebend sondern die Stromdichte an einer Stelle.
» Das
» » » tötet das Bauteil. Durchschläge sind punktuell, ausgelöst durch die
» » » Spannung.
» »
» » Schau dir mal an wie eine Z-Diode funktioniert oder der Durchbruch einer
» » B-E-Strecke.
»
» Also einen zener Durchbruch (komplett anderer Effekt) oder eine BE Strecke
» mit einer gesperrten Kollektor Emitter Strecke zu vergleichen ist schon ein
» ziemlich schmales Brett...
»
» Zumal BE Strecken selten durchbrechen, das muss man schon thermisch
» ziemlich übertreiben, weil: leitende Richtung. Da sperrt nix. Also ganz
» anderer Effekt.
»
» Puste Mal mit 16kV auf eine Z Diode und schau's dir im REM an, da wirst du
» überrascht sein

Das stimmt alles so nicht.
Die Durchbruchspannung hängt vorwiegend von der Dotierung ab. Je weniger dotiert ist, desto höher ist die Durchbruchspannung. Übringens nimmt die Durchbruchspannung mit der Temperatur zu und nicht ab. Jedenfalls zerstört der Lawineneffekt, also der Durchbruch bei zu hoher Spannung, keinen Halbleiter solange der Strom niedrig ist.
Der bipolare Halbleiter bricht auch nicht abrupt durch sondern so wie bei einer Z-Diode.
Schau dir einfach mal den Lawineneffekt an, der ist nämlich für den Durchbruch verantwortlich.
B-E-Strecken werden auch als Z-Dioden verwendet. Nimm doch einen Transistor und probiere es aus. Dabei Widerstand nicht vergessen