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Impedanzwandler mit OPV (Elektronik)
Hallo Altgeselle,
» Bei geforderten 100 MOhm Eingangswiderstand müssen das aber "low leakage"
» Dioden sein.
» Früher wurde dafür die GS-Strecke von J-Fets genommen.
Es geht (ging) auch mit bipolaren Transistoren. Man verwendet dazu die Basis-Kollektor-Diode.
Mehr dazu erfährt man im Elektronik-Minikurs
. . . . "Überspannungsschutz von empfindlichen Verstärkereingängen"
. . . . . https://www.elektronik-kompendium.de/public/schaerer/ovprot.htm
Runterscrollen bis zum Kapitel "Transistoren anstelle von Dioden".
Als Nano/Pico-Ampere-Diode empfehle ich BAV199. Es ist eine Doppeldiode und leider in SMD .
Wenn die Temperatur maximal 50ºC beträgt liegt die Sperrspannung bei etwa 5 pV (typischer Wert).
Siehe Diagramm "Reverse Current. :
. . . . https://www.elektronik-kompendium.de/public/schaerer/FILES/bav199.pdf
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Gruss
Thomas
Buch von Patrick Schnabel und mir zum Timer-IC NE555 und LMC555:
https://tinyurl.com/zjshz4h9
Mein Buch zum Operations- u. Instrumentationsverstärker:
https://tinyurl.com/fumtu5z9
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