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FET Max. ID (Elektronik)
» » Nehmen wir nur mal als Beispiel eine 500W Last an 24V an. Dies
» entspricht
» » einem Widerstand von 1,15Ohm. Der RDSon des MOSFET betrage 10mOhm bzw.
» » 20mOhm.
» » 24V/(1,15+0,01)Ohm=20,7A
» » 24V/(1,15+0,02)Ohm=20,5A
» » --> Vernachlässigbar.
»
» Für die Last ist der Unterschied unerheblich; da hast du vollkommen recht.
» Allerdings ist Herr Ohm ein wenig unbarmherzig, denn:
» Für den FET ist's nicht so "unerheblich".
» DAS muss der Anwender immer bedenken.
»
» Bei Rds-on von 10mR hätte er eine Verlustleistung von Id exp2 / Rds-on =
» 42,85W zu verkraften, beim Rds-on von 20mR logischerweise das Doppelte,
» also rund 85,7W. Darauf wollte ich mit dem Hinweis auf Herrn S. Ohm
» hinaus.
U=R*I=0,01Ohm*20A=0,2V
P=U*I=4W
Von mir aus auch P=I²*R. Aber auch das ergibt 4W, nicht 40W.
Für 4W braucht man schon ein wenig Kühlfläche.
Schönen Gruß an Herrn Ohm von Herrn Watt.
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