Forum
FET Max. ID (Elektronik)
» Für die Last ist der Unterschied unerheblich; da hast du vollkommen recht.
» Allerdings ist Herr Ohm ein wenig unbarmherzig, denn:
» Für den FET ist's nicht so "unerheblich".
» DAS muss der Anwender immer bedenken.
» Bei Rds-on von 10mR hätte er eine Verlustleistung von Id exp2 / Rds-on =
» 42,85W zu verkraften, beim Rds-on von 20mR logischerweise das Doppelte,
» also rund 85,7W. Darauf wollte ich mit dem Hinweis auf Herrn S. Ohm
» hinaus.
Klar, nur meinte ich das in diesem Fall nicht.
» Damit (85W) ist man bereits vollends im Grenzbereich der SOA, die @ Tj=
» 175°C und 0,4V Vds nur noch einen Id von ca. 30A für 10ms zulässt.
» Interpoliert man das grob runter auf reinen DC-Betrieb (ED = 100%), bekomme
» ich die V.-Leistung schon nicht mehr aus der Transe raus. Denn das
» SOA-Diagramm gibt als weitere Vorgabe eine Gehäuse-T. Tc = 25°C.
» Das (Tj = 175°C und Tc = 25°C) ist bei DC-Betrieb wohl kaum realisierbar,
» jedenfalls nicht mit herkömmlichen Mitteln, für uns Hobby-Elektroniker (um
» nicht Bastler zu sagen ) schon gar nie nicht.
» Das von Rudi4 verlinkte Diagramm sagt weiterhin, dass bei "nur" Tj =137°C
» schon nur noch Id = 30A fließen dürfen. Auch da ist die Grenze deutlich vor
» Augen, wenn ich die 20A aus dem Beispiel nehme.
Alles richtig...
Mein Beispiel war aber eher allgemeiner Natur, da 20mR für diesen FET unrealistisch sind, siehe:
» Zu(m) (meinem) Glück ist dein Zahlenbeispiel genau passend. Da würde der
» FET nämlich schon magischen Rauch erzeugen und sich in die ewigen
» Jagdgründe verabschieden...
Würde er nicht, da er bei doppeltem RDSon schon >180°C heiß wäre, und damit der maximale Drainstrom 0A beträgt
» Also bin ich gegen die Wortwahl "niemand"....
Apropos Wortwahl. Offenbar haben wir verschiedene Defitinionen von "kann" und "darf"....
Du "kannst" auch bei Tc=150°C 50A druch den FET treiben, danken wird er es dir aber nicht, von einem kleinen Feuerwerk abgesehen.
Auf mehr wollte ich gar nicht hinaus.
Gesamter Thread: