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FET Max. ID (Elektronik)

verfasst von der olle Michi, im Norden, 15.01.2020, 23:11 Uhr

» Nehmen wir nur mal als Beispiel eine 500W Last an 24V an. Dies entspricht
» einem Widerstand von 1,15Ohm. Der RDSon des MOSFET betrage 10mOhm bzw.
» 20mOhm.
» 24V/(1,15+0,01)Ohm=20,7A
» 24V/(1,15+0,02)Ohm=20,5A
» --> Vernachlässigbar.

Für die Last ist der Unterschied unerheblich; da hast du vollkommen recht. :clap: Allerdings ist Herr Ohm ein wenig unbarmherzig, denn:
Für den FET ist's nicht so "unerheblich".
DAS muss der Anwender immer bedenken.

Bei Rds-on von 10mR hätte er eine Verlustleistung von Id exp2 / Rds-on = 42,85W zu verkraften, beim Rds-on von 20mR logischerweise das Doppelte, also rund 85,7W. Darauf wollte ich mit dem Hinweis auf Herrn S. Ohm hinaus.

Damit (85W) ist man bereits vollends im Grenzbereich der SOA, die @ Tj= 175°C und 0,4V Vds nur noch einen Id von ca. 30A für 10ms zulässt.
Interpoliert man das grob runter auf reinen DC-Betrieb (ED = 100%), bekomme ich die V.-Leistung schon nicht mehr aus der Transe raus. Denn das SOA-Diagramm gibt als weitere Vorgabe eine Gehäuse-T. Tc = 25°C.
Das (Tj = 175°C und Tc = 25°C) ist bei DC-Betrieb wohl kaum realisierbar, jedenfalls nicht mit herkömmlichen Mitteln, für uns Hobby-Elektroniker (um nicht Bastler zu sagen ) schon gar nie nicht.
Das von Rudi4 verlinkte Diagramm sagt weiterhin, dass bei "nur" Tj =137°C schon nur noch Id = 30A fließen dürfen. Auch da ist die Grenze deutlich vor Augen, wenn ich die 20A aus dem Beispiel nehme.

Zu(m) (meinem) Glück ist dein Zahlenbeispiel genau passend. Da würde der FET nämlich schon magischen Rauch erzeugen und sich in die ewigen Jagdgründe verabschieden...

Was lernen wir? Beim Verkehr (auch auf der Straße ) ist Abstand halten immer eine Nummer sicherer....

PS: ...und nochmal Herr Ohm: Natürlich könnte man auch die Spannung der ganzen Geschichte ändern; damit ändert sich natürlich der Laststrom Id. Also bin ich gegen die Wortwahl "niemand"....