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FET Max. ID (Elektronik)
» » Heißt das nun, je wärmer das Gehäuse wird, um so weniger Strom fließt?
» Nein, umso weniger _darf_ fließen.
Na, sagen wir mal, desto weniger KANN fließen (mal abgesehen vom schaltungsbedingten Kurzschluss), denn der Rds-on steigt bei max. erlaubter Sperrschicht-Temperatur auf fast den doppelten Wert wie bei 25°C.
Das hängt mit der niedrigeren Beweglichkeit der Ladungsträger und der größer werdernden Sperrschichtweite bei zunehmender Temp. zusammen.
Außerdem ist der Effekt, dass der I-d einen negativen Temp.-Koeffizienten hat (= sinkt bei steigender T.) durchaus nicht allgemeingültig.
Bei sehr niedriger Ansteuerung ist der TK nämlich DOCH positiv, bis zu einem gewissen Größe, genannt Kompensationspunkt. Unterhalb von diesem Punkt wirkt sich die Vergrößerung des Kanal-Querschnitts aus, die I-d mit der Temp. steigen lässt.
Im Komp.-Punkt selbst wird sich I-d mit der Temp. NICHT ändern. Dieser Fall (den P-MosFET genau in diesem Arbeitpunkt zu betreiben) hat man bei Schalt-Anwendungen jedoch seltenst vorliegen.
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Grüße
Michael
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