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MOSFET oder IGBT (Elektronik)

verfasst von Wolfgang Horejsi(R), 25.11.2019, 07:49 Uhr

» Ich kapiere halt nicht warum bei dem einen die Verlustleistung proportional
» zum Strom zunimmt, beim anderen zum Strom². Wenn ich einen Transistor als
» Schalter verwende, dann ist dessen Verlustleistung gering, wenn UCE=Vcc
» oder 0V ist, und wenn UCE/2(Vcc) ist seine Verlustleistung maximal, PV=UxI.
» Stimmt doch, oder? Wieso ist aber bei einem MOSFET PV~I²?? Wenn der voll
» durchgeschaltet ist, dann fällt an ihm doch auch nur noch wenig Spannung
» ab? Und wenn er kaum durchgeschaltet ist, dann fällt an ihm zwar fast die
» gesamte Betriebsspannung ab, aber der Strom ist minimal?
Mosfet-Transistoren haben ihren R-DS-on. Der ist oft sehr klein. Bei Mosfets für 600V oder mehr liegt dieser Widerstand allerdings auch im voll durchgeschalteten Zustand um Klassen höher als bei Mosfets für 20-30V. Bei einem 2SK2765 (800V 7A) sind es 2 Ohm. Bei einem 50N02-09P (20V 15A) sind es 0,017 Ohm. Wenn man durch beide 3A hindurch fließen lässt, haben wir an dem ersten einen Spannungsfall von 6V, bei 3A sind es 18W Verlust, bei 6A fallen 12V ab, das sind 72W. Bei dem anderen sind es 0,051V, entsprechend 153mW, die sich beim doppelten Strom ebenfalls vervierfachen. Bei Bipolaren Transistoren und IGBT haben wir eine Sättigungsspannung von etwa 1V (bei 3A), entsprechend einer Verlustleistung von 3W. Bei 10A steigt die Sättigungsspannung gering an, etwa 1,5V entsprechend 15W. (siehe Kennlinien im Datenblatt).
Bei In der erwähnten Schaltung werden die Transistoren nicht im Analogbereich benutzt. Nicht erwähnt sind die frequenzabhängigen Umschaltverluste und der Bedarf an Ansteuerleistung.

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MOSFET oder IGBT - matzi682015(R), 23.11.2019, 17:19 (Elektronik)
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