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High Side Beschaltung mit N-Channel Mosfet Maximalwert Vds? (Elektronik)
» » » LiFePo4 Akku
» »
» » Nennspannung?
»
» 12,8V (4S)
Also alles ganz zahm.
» » » Dann könnte ich den Mosfet direkt über
» » » die I/O Pins ansteuern. Der RDSon ist dann zwar ein kein wenig größer,
» » » sollte aber noch im Rahmen sein. Ist das vielleicht die Lösung?
» »
» » Nein, der MOSFET ist nicht für 5V Ugs spezifiziert.
» Eigentlich nicht aber wenn ich mir Diagramm 6 anschaue sollte RDSon bei 5V
» am Gate und 100A IDS immer noch unter 2mOhm bleiben. Das wäre so ja noch in
» Ordnung.
Nein, das ist nicht in Ordnung. Der Hersteller garantiert dir da gar nichts.
Nimm einen 5V-->12V DC/DC-Wandler, 1W, natürlich isoliert. Und dazu dann HCPL-3020/HCPL-0302. Pufferkondensator am Koppler nicht vergessen!
Aber der Aufwand ist ja schon erheblich. Ein Redesign mit einfachem Levelshifter (CD4504) und Low-Side-MOSFETs wäre wohl weniger Aufand.
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