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High Side Beschaltung mit N-Channel Mosfet Maximalwert Vds? (Elektronik)

verfasst von D.T.Schneiderlein(R), 23.05.2019, 20:53 Uhr

» Ohne Oszi weißt du gar nichts.
Ja...dann werde ich wohl morgen nochmal das Oszi dran hängen. Allerdings kann ich damit ja auch nicht sehen, ob die Spannung für eine uS absackt, oder?


» » Den Pulldown Widerstand habe ich jetzt direkt am Arduino Pin. Der
» » Photovoltaik Treiber hat natürlich noch einen Vorwiderstand bekommen.
»
» Wozu der Pulldown?
Den mach ich an einem uC immer dran, damit der I/O Pin keine Faxen macht. Vermutlich ist das hier nicht notwendig, weil ja die LED dran hängt. Richtig?

» » Brauche ich hierfür auch
» » Entkopplungswiderstände? Zwischen dem Treiber und Gate?
»
» Ja, unbedingt!
Ich verstehe nicht ganz wozu der Widerstand hier gut sein soll. Der Widerstand wäre ja zur Strombegrenzung. Nun hängt das Gate ja aber quasi an einer "Solarzelle". Wozu also den Strom begrenzen? Im Datenblatt des Treibers ist das so jetzt auch nirgendwo zu finden.

» Weißt du denn was die SOA ist? Und was das Miller-Plateau für Ärger machen
» kann?
Nein, ich habe keine Ahnung. Du hattest mir diesen Treiber empfohlen und da dachte ich, ich probiere den mal aus... Ich bin jetzt mal davon ausgegangen, dass es bei der SOA um das Verhältnis von Vgs und und Ids geht. Die Spannung am Gate muss größer sein um den Widerstand zwischen Drain und Source möglichst klein zu halten. Dazu gibt es im Datenblatt des Mosfets ein Diagramm.
Von einem Miller-Plateau habe ich noch nie gehört. Klärst Du mich auf? Geht es um die Schaltgeschwindigkeit? Die Ladung am Gate muss möglichst schnell hergestellt bzw. abgebaut werden?



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High Side Beschaltung mit N-Channel Mosfet Maximalwert Vds? - D.T.Schneiderlein(R), 24.05.2019, 10:06
Das kann so nicht funktionieren. - @@GAST@@, 22.05.2019, 14:19