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High Side Beschaltung mit N-Channel Mosfet Maximalwert Vds? (Elektronik)

verfasst von D.T.Schneiderlein(R), 23.05.2019, 08:48 Uhr

Sorry, wegen der Doppelpost. Mein Browser hat gesponnen, so dass ich davon ausging, dass der Beitrag nicht gepostet wurde.

@ Michi
P-Channel scheidet hier aus, weil der Widerstand (RDS) viel zu groß ist. Ich möchte bis zu 120A schalten. Der IPT012N08N5 hat einen RDSon von 1,2mOhm. Wenn ich 4 Stück parallel schalte ergibt das also einen Widerstand von 0,3mOhm. Bei 120A wäre der Spannungsabfall also 36mV und die Verlustleistung 4,32W, also 1,08W pro Mosfet. Das wäre der Idealfall :-)

@ xy
Okay, ich habe den Pulldown nun auch direkt an Source.
Notfalls bekommt jeder Mosfet einen eigenen Treiber und ich verteile die auf mehrere uC Pins. (Wobei der 32U4 eigentlich 40mA pro i/O Pin liefern kann und sich die LED im Treiber mit unter 10mA zufrieden geben sollte.) Ich habe jetzt mal 3 Stück bestellt. Ist ja erst mal nur zum Ausprobieren.



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High Side Beschaltung mit N-Channel Mosfet Maximalwert Vds? - D.T.Schneiderlein(R), 22.05.2019, 08:51 (Elektronik)
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High Side Beschaltung mit N-Channel Mosfet Maximalwert Vds? - D.T.Schneiderlein(R), 24.05.2019, 09:38
High Side Beschaltung mit N-Channel Mosfet Maximalwert Vds? - xy(R), 24.05.2019, 09:54
High Side Beschaltung mit N-Channel Mosfet Maximalwert Vds? - D.T.Schneiderlein(R), 24.05.2019, 10:06
Das kann so nicht funktionieren. - @@GAST@@, 22.05.2019, 14:19