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FeFETs läuten eine neue Ära für nichtflüchtige Speicher ein (Elektronik)

verfasst von schaerer  , Kanton Zürich (Schweiz), 12.07.2018, 17:29 Uhr

Die Ferroelectric Memory GmbH (FMC) aus Dresden stellt mit ihren FeFETs (ferroelektrischen FETs) eine Speichertechnologie vor, die die ferroelektrischen Eigenschaften einer Kristallkonfiguration von dotiertem Hafniumoxid (HfO2) nutzt. Skalierbar, CMOS-kompatibel und rein auf einem Feldeffekt beruhend lassen sich mit der Technologie Speicher mit hoher Geschwindigkeit und signifikant reduzierter Leistungsaufnahme fertigen.
Fachartikel von Dr.-Ing. Nicole Ahner

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. . . . . . https://www.all-electronics.de/fefets-nichtfluechtige-speicher/1/

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Gruss
Thomas

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FeFETs läuten eine neue Ära für nichtflüchtige Speicher ein - schaerer, 12.07.2018, 17:29 (Elektronik)

FeFETs läuten eine neue Ära für nichtflüchtige Speicher ein - RadioHeinz77, 18.07.2018, 13:22

FeFETs läuten eine neue Ära für nichtflüchtige Speicher ein - schaerer, 22.07.2018, 12:29