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FeFETs läuten eine neue Ära für nichtflüchtige Speicher ein (Elektronik)

verfasst von schaerer(R)  E-Mail, Zürich (Schweiz), 12.07.2018, 17:29 Uhr

Die Ferroelectric Memory GmbH (FMC) aus Dresden stellt mit ihren FeFETs (ferroelektrischen FETs) eine Speichertechnologie vor, die die ferroelektrischen Eigenschaften einer Kristallkonfiguration von dotiertem Hafniumoxid (HfO2) nutzt. Skalierbar, CMOS-kompatibel und rein auf einem Feldeffekt beruhend lassen sich mit der Technologie Speicher mit hoher Geschwindigkeit und signifikant reduzierter Leistungsaufnahme fertigen.
Fachartikel von Dr.-Ing. Nicole Ahner

Wenn man mehr erfahren will, von ALL-ELECTRONICS.DE:
. . . . . . https://www.all-electronics.de/fefets-nichtfluechtige-speicher/1/

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Gruss
Thomas

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FeFETs läuten eine neue Ära für nichtflüchtige Speicher ein - schaerer(R), 12.07.2018, 17:29 (Elektronik)