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Verständnisproblem beim Erklärungsmodell des NMOS-FET (Bauelemente)

verfasst von Cosinus, 21.10.2017, 19:27 Uhr

» » Wer hat das so erklärt ?
» » Das würde ich auch nicht verstehen !
» »
» » Vielleicht bringt diese Seite das Verständnis ?
» » http://elektronik-kurs.net/elektronik/mosfet-mos-feldeffekttransistor/
»
» Vielen Dank für die Linkempfehlung.
»
» So ähnlich, wie ich es beschrieben habe, steht es beispielsweise im "Sedra,
» Smith Microelectronic circuits" oder auch (kürzer) im "Tietze, Schenk".
»
» Mir ist aber nicht klar, wie ich freie negative Ladungsträger in eine
» bereits negativ geladene, unbewegliche "Akzeptorschicht" bringen kann.
» Gleichnamige Ladungen stoßen sich ja bekantlich ab.
» Ist es vielleicht nur eine quantitative Sache, wenn also die
» Gate-Source-Spannung stark genug ist, ist die dadurch bedingte Anziehung
» größer als die Abstoßung durch Ladungsgleichheit?
»
»
» Gruß
» E-Student

Es gibt 2 N-MOSFET.
1. Den selbstsperrenden MOSFET
2. Den selbstleitenden MOSFET.

zu 1. Zwischen Drain und Source ist keine leitende Verbindung.(selbstsperrend)
Hier müssen Ladungsträger heran gezogen werden, Das geschieht durch eine positive Spannung am Gate.
Das positiv geladene Gate zieht negative Ladungen in den Bereich zwischen Drain und Source.
Damit entsteht eine leitende Zone. Es kann ein Strom fließen, ja nach Gatespannung.

zu 2. Zwischen Drain und Source ist bereits eine leitende Schicht dotiert worden.(selbstleitend)
Hier muss das Gate negativ geladen werden um positive Ladungsträger heran zu ziehen.
Damit wird die leitende Schicht abgebaut und der MOSFET sperrt, ja nach Gatespannung.



Gesamter Thread:

Verständnisproblem beim Erklärungsmodell des NMOS-FET - E-Student, 21.10.2017, 14:25 (Bauelemente)
Verständnisproblem beim Erklärungsmodell des NMOS-FET - Cosinus, 21.10.2017, 16:04
Verständnisproblem beim Erklärungsmodell des NMOS-FET - E-Student, 21.10.2017, 16:24
Verständnisproblem beim Erklärungsmodell des NMOS-FET - Cosinus, 21.10.2017, 19:27