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Hallo, mich interessiert, welches Element in der o.a. Diode verbaut ist, in Datenblättern finde ich nur "glass-passivated ion-implanted, epitaxial construction", ist es Schottky, Silizium, oder gibt es da noch was anderes (Ge ist ja out)

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Matthes

» Hallo, mich interessiert, welches Element in der o.a. Diode verbaut ist, in
» Datenblättern finde ich nur "glass-passivated ion-implanted, epitaxial
» construction", ist es Schottky, Silizium, oder gibt es da noch was anderes
» (Ge ist ja out)

Silizium.
Mit Schwermetallen dotiert um geringe Durchlasspannungen zu erreichen.
Schottky würde die hohen Sperrspannungen nicht ermöglichen.

» » Hallo, mich interessiert, welches Element in der o.a. Diode verbaut ist,
» in
» » Datenblättern finde ich nur "glass-passivated ion-implanted, epitaxial
» » construction", ist es Schottky, Silizium, oder gibt es da noch was
» anderes
» » (Ge ist ja out)
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» Silizium.
» Mit Schwermetallen dotiert um geringe Durchlasspannungen zu erreichen.
» Schottky würde die hohen Sperrspannungen nicht ermöglichen.

laut Datenblatt hat die MUR860 aber bis zu 0,5V... 0,8V mehr Durchlass-Spannungsabfall als eine Si-Diode.

Ok, das hat sie dann eben als "kleinen Nachteil" nebst der Schnelligkeit von 50...60 ns.

Gibt es eine Erklärung, mit welchen Metallen sie dotiert sind? Und wieso Schwermetalle? Es gibt ja auch Dotierungen mit u.a. Aluminium-Atomen, was ja kein Leichtmetall ist.

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Matthes

» laut Datenblatt hat die MUR860 aber bis zu 0,5V... 0,8V mehr
» Durchlass-Spannungsabfall als eine Si-Diode.

Die MUR860 ist eine Siliziumdiode.


» Ok, das hat sie dann eben als "kleinen Nachteil" nebst der Schnelligkeit
» von 50...60 ns.

Du musst schon fair vergleichen, z.B. MUR860 vs S8CJ.


» Gibt es eine Erklärung, mit welchen Metallen sie dotiert sind? Und wieso
» Schwermetalle? Es gibt ja auch Dotierungen mit u.a. Aluminium-Atomen, was
» ja kein Leichtmetall ist.

Es geht um die Lebensdauer der Ladungsträger in der intrinsischen Zone, und um die Beweglichkeit der Fremdatome.

» » laut Datenblatt hat die MUR860 aber bis zu 0,5V... 0,8V mehr
» » Durchlass-Spannungsabfall als eine Si-Diode.
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» Die MUR860 ist eine Siliziumdiode.

Hat simi schon geantwortet.
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» » Ok, das hat sie dann eben als "kleinen Nachteil" nebst der Schnelligkeit
» » von 50...60 ns.
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» Du musst schon fair vergleichen, z.B. MUR860 vs S8CJ.
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Mir geht es nicht um das Vergleichen von Ultrafast-Dioden, sondern um eine Erklärung, warum sie ultrafast sind und aus welchem Grund, die Dotierung mit welchen Atomen dafür zu welchem Zweck (schnelle Schaltzeiten, klar) und welcher physikalischen Beschreibungen, was der Unterschied ist, mit Schwermetallen zu dotieren (was ich noch nie gehört habe), anstatt wie üblich mit Al oder Phosphor und so.
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» » Gibt es eine Erklärung, mit welchen Metallen sie dotiert sind? Und wieso
» » Schwermetalle? Es gibt ja auch Dotierungen mit u.a. Aluminium-Atomen,
» was
» » ja kein Leichtmetall ist.
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» Es geht um die Lebensdauer der Ladungsträger in der intrinsischen Zone, und
» um die Beweglichkeit der Fremdatome.

Aha. Kannst Du da sagen wo das erklärt wird?

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Matthes

» » Du musst schon fair vergleichen, z.B. MUR860 vs S8CJ.
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» Mir geht es nicht um das Vergleichen von Ultrafast-Dioden,

S8CJ ist keine schnelle Diode.



» sondern um eine
» Erklärung, warum sie ultrafast sind und aus welchem Grund, die Dotierung
» mit welchen Atomen dafür zu welchem Zweck (schnelle Schaltzeiten, klar) und
» welcher physikalischen Beschreibungen, was der Unterschied ist, mit
» Schwermetallen zu dotieren (was ich noch nie gehört habe), anstatt wie
» üblich mit Al oder Phosphor und so.

Das sind die tiefsten Tiefen der Halbleiterphysik.