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gibts doch... (Bauelemente)
» » Hallo,
» »
» » im Zusammenhang mit meinem ET Studium habe ich vor, einen (kleinen)
» DRAM
» » Speicher aus diskreten Elementen zu bauen. Dieser soll dann als
» » Anschauungsmittel dienen.
» »
» » Nun besteht folgendes Problem:
» » Die Transistoren, die die Ansteuerung der einzelnen Kapazitäten
» » übernehmen, müssen einen externen Bulk Anschluss besitzen, der auf gnd
» » gelegt wird
» » (http://upload.wikimedia.org/wikipedia/de/6/68/DRAM_Zelle.png).
» » Bei Standard MOSFETs ist der Bulk nunmal mit Drain/Source (n oder pFet)
» » verbunden, wodurch ich die Funktion als Schalter nicht sicher stellen
» » kann.
» » Es sollen n-MOSFets verwendet werden. Solange die Kapazität nicht
» geladen
» » ist, besteht kein weiteres Problem, da dann die Gate-Source Spannung
» » positiv ist. Wenn jedoch die Kapazität bereits geladen ist, kann der
» » Transistor nicht mehr schalten, da Gate-Source = 0V ist.
» »
» » Deswegen meine Frage:
» » Gibt es MOSFETs mit 4 Anschlüssen (Gate Drain Source Bulk)? Meine Suche
» in
» » mehreren Onlineshops war erfolgslos, allerdings weiß ich auch nicht
» nach
» » welchem Stichwort ich suchen sollte.
» »
» » Vielen Dank für jede Antwort !
» »
» » Gruß
»
» Hallo,
» diskrete MOSFETS mit herausgeführtem Bulk sind mir nicht
» bekannt. Aber vielleicht funktioniert ja ein CD4007UB
» von Texas Instruments. Die MOSFETS an Pin 4 und 9 haben
» den Sourceanschluss herausgeführt, während Bulk auf Vss
» (Pin7) liegt.
» Grüße
» Altgeselle
BSS83 von NXP (früher Philips) www.nxp.com
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