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Gate-Widerstand Mosfet TS2581 (Elektronik)

verfasst von schaerer(R)  E-Mail, Kanton Zürich (Schweiz), 23.05.2020, 12:17 Uhr

» Und genau wie ihr es beschreibt, habe ich in meinem Aufbau ein 4,7R
» Gatewiderstand verbaut.
» Der Tiefpass verhindert steile Flanken, und darum wird der P-Mos zu warm.
Dann wird die Flankensteilheit zu sehr gedämpft. Allerdings ist das bei nur 4.7 Ohm schon etwas seltsam.
Wie hoch ist eigentlich die Gate-Source-Kapazität des P-MOSFET und die Schaltfrequenz am Gate?

» Ich werde mich mal langsam herantasten, und einen 2R einlöten.
Okay, eine Alternative weiss ich auch nicht, ausser mit einer Induktivität. Mit dieser erreicht man einen sehr niedrigen DC-Widerstand und für die hohe Frequenz (das betrifft die steile Schaltflanke) ist der AC-Widerstand deutlich höher.

Da müsste man einen Satz von solch kleinen Induktivitäten auf Lager haben. Aber es gelingt vielleicht auch anders, weil die Induktivität so etwa im µH-Bereich liegen müsste, - rein schätzometrisch: Das Wickeln einer kleinen Luftspule.

Nicht immer aber oft geht's mit Probieren anstatt studieren. :ok: :cool:

Oder eben wie's Hartwig formuliert, ohne Widerstand. Und wenn vorhanden, elegant mit einem 0-Ohm-Widerstand. :-D

--
Gruss
Thomas

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https://tinyurl.com/zjshz4h9
Mein Buch zum Operations- u. Instrumentationsverstärker:
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Gate-Widerstand Mosfet TS2581 - Stone(R), 23.05.2020, 05:45 (Elektronik)
Gate-Widerstand Mosfet TS2581 - schaerer(R), 23.05.2020, 08:09
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Gate-Widerstand Mosfet TS2581 - Wolfgang Horejsi(R), 23.05.2020, 14:48
Gate-Widerstand Mosfet TS2581 - schaerer(R), 23.05.2020, 16:52
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