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MOSFET oder IGBT (Elektronik)

verfasst von matzi682015(R) E-Mail, Aachen, 24.11.2019, 20:44 Uhr

» Guck mal hier das Ersatzschema im Wiki:
» . . . . .
» https://de.wikipedia.org/wiki/Datei:IGBT_equivalent_circuit_DE.svg
»
» Der bipolare Leistungstransistor BJT besteht, wie es nicht anders sein kann
» aus P/N- und N/P-Halbleiterübergängen und diese verhalten sich stark nicht
» linear. Es ist müssig da von einem Widerstand zu sprechen und das noch
» vergleichend mit einem (Power-)MOSFET, wo die Drain-Source-Strecke
» eindeutig als Widerstand bezeichnet werden kann. Es gibt zwar einen
» Body-Widerstand parallel zu Basis und Emitter des NPN-BJT. Wie stark sich
» dieser Body-Widerstand auf die Gesamtleitfähigkeit im Leistungspfad
» auswirkt, dürfte ein Fachthema für sich sein....
»
» Vielleicht findet man dazu genauere Informationen auf der Wikiseite
» und/oder dort in den WWW-Beilagen:
» . . .
» https://de.wikipedia.org/wiki/Bipolartransistor_mit_isolierter_Gate-Elektrode
Ich kapiere halt nicht warum bei dem einen die Verlustleistung proportional zum Strom zunimmt, beim anderen zum Strom². Wenn ich einen Transistor als Schalter verwende, dann ist dessen Verlustleistung gering, wenn UCE=Vcc oder 0V ist, und wenn UCE/2(Vcc) ist seine Verlustleistung maximal, PV=UxI. Stimmt doch, oder? Wieso ist aber bei einem MOSFET PV~I²?? Wenn der voll durchgeschaltet ist, dann fällt an ihm doch auch nur noch wenig Spannung ab? Und wenn er kaum durchgeschaltet ist, dann fällt an ihm zwar fast die gesamte Betriebsspannung ab, aber der Strom ist minimal?

--
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HATARI mag TRANSISTOR und beide mögen Mac(mini).... - Waldi(R), 25.11.2019, 16:40
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