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MOSFET oder IGBT (Elektronik)

verfasst von schaerer(R)  E-Mail, Kanton Zürich (Schweiz), 24.11.2019, 09:31 Uhr

» » » Das müßte dann ja für den IGBT auch so sein, weil P=RCxICExICE
»
» » Was auch immer RC sein soll, gibt es beim IGBT nicht. Wie schon
» » geschrieben, hat er im (gesättigen) Zustand eine weitgehend konstante
» » Kollektor-Emitter Spannung, womit die Verlustleistung "nur" linear mit
» dem
» » Strom zunimmt.
»
» achso, weil der CE-Widerstand beim IGBT konstant ist, und beim MOSFET
» nicht?
Guck mal hier das Ersatzschema im Wiki:
. . . . . https://de.wikipedia.org/wiki/Datei:IGBT_equivalent_circuit_DE.svg

Der bipolare Leistungstransistor BJT besteht, wie es nicht anders sein kann aus P/N- und N/P-Halbleiterübergängen und diese verhalten sich stark nicht linear. Es ist müssig da von einem Widerstand zu sprechen und das noch vergleichend mit einem (Power-)MOSFET, wo die Drain-Source-Strecke eindeutig als Widerstand bezeichnet werden kann. Es gibt zwar einen Body-Widerstand parallel zu Basis und Emitter des NPN-BJT. Wie stark sich dieser Body-Widerstand auf die Gesamtleitfähigkeit im Leistungspfad auswirkt, dürfte ein Fachthema für sich sein....

Vielleicht findet man dazu genauere Informationen auf der Wikiseite und/oder dort in den WWW-Beilagen:
. . . https://de.wikipedia.org/wiki/Bipolartransistor_mit_isolierter_Gate-Elektrode

--
Gruss
Thomas

Buch von Patrick Schnabel und mir zum Timer-IC NE555 und LMC555:
https://tinyurl.com/zjshz4h9
Mein Buch zum Operations- u. Instrumentationsverstärker:
https://tinyurl.com/fumtu5z9

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