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High Side Beschaltung mit N-Channel Mosfet Maximalwert Vds? (Elektronik)

verfasst von der olle Michi(R), im Norden, 26.05.2019, 11:45 Uhr
(editiert von der olle Michi am 26.05.2019 um 12:33)

» P-Channel scheidet hier aus, weil der Widerstand (RDS) viel zu groß ist.
» Ich möchte bis zu 120A schalten. Der IPT012N08N5 hat einen RDSon von
» 1,2mOhm. Wenn ich 4 Stück parallel schalte ergibt das also einen Widerstand
» von 0,3mOhm. Bei 120A wäre der Spannungsabfall also 36mV und die
» Verlustleistung 4,32W, also 1,08W pro Mosfet. Das wäre der Idealfall :-)

Mal generell:
Du willst eine maximae Leistung von immerhin rund 8,4kW schalten. Welche Verluste lässt du denn maximal zu?
Die nach deiner Rechnung 4,32W sind etwa 5 x 10^-4 % von der Schaltleistung. Wenn du alternativ P-Kanal (mit z.B. R-DSon = 10mR) einsetzen würdest, liegen die on-Verluste (grob < 40W) immer noch bei unter 0,4%.
Du hättest aber deutlich weniger Probleme mit der Ansteuerung, d.h. schaltungtechnisch einfacher, da deutlich weniger G-Kapazitäten und daher schnellerer Schaltvorgang mit geringeren Schaltverlusten möglich.

Man kann eben nicht immer alles haben....:lookaround:

Im Übrigen habe ich schon G-Treiber gesehen, die m.W. bis zu 1A Spitzenstrom bereitstellen können. Ich denke, du MUSST im Bereich von 100ns bis ca. 1us kommen, sonst geben die FETs mögichweise Rauchsignale, weil du sie zu lange im linearen Bereich (u.U. unter Verletzung der SOA-Kriterien) fährst.

Schönen Sonntag noch
Micha

--
Grüße
Michael



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High Side Beschaltung mit N-Channel Mosfet Maximalwert Vds? - der olle Michi(R), 26.05.2019, 11:45
Das kann so nicht funktionieren. - @@GAST@@, 22.05.2019, 14:19