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High Side Beschaltung mit N-Channel Mosfet Maximalwert Vds? (Elektronik)

verfasst von D.T.Schneiderlein(R), 24.05.2019, 09:38 Uhr

» Es wäre an der Zeit mal was über das Gesamtkonzept zu erzählen.

Da muss ich ein bisschen weiter ausholen:
Ich entwickle eine Leiterplatte die Insgesamt 10 Eingänge für Stromgeneratoren hat. Die Generatoren laden einen LiFePo4 Akku an den ein Wechselrichter angeschlossen ist. Die Ströme der 10 Eingänge werden mit Allegro Hallsensoren gemessen und über einen 32U4 ausgewertet und vie USB an eine PC-Software verschickt.. Ebenso gemessen wird der Strom zwischen Batterie und Wechselrichter und die Akku-Spannung. Der Akku dient nur zum puffern. Es ist also nicht wichtig, dass er vollständig geladen wird. Darum soll die Stromversorgung der 10 Eingänge einfach über Mosfets unterbrochen werden, wenn die Ladeschlussspannung erreicht wird und dann (mit Hysterese) wieder zugeschaltet werden, wenn die Spannung weit genug runter gegangen ist. DIe Generatoren können im Leerlauf bis zu 60V Spannung erzeugen.
Der uC wird über die Batterie über einen LM317 versorgt, wird aber via Photomos von der Batterie getrennt, wenn keine USB-Verbindung zum PC hergestellt ist (USB-Spannung schaltet den PhotoMos durch). So schaltet sich die Schaltung automatisch ein, wenn der PC eingeschaltet wird.

Nun könnte man ja am einfachsten mit den Mosfets den Minuspol schalten. Es ist aber so, das das Layout fast fertig ist, weil ursprünglich geplant war den Überspanungsschutz über einen Source Stopper zu realisieren. Wir müssten also das komplette Layout auf den Kopf stellen.

Was mir eben noch eingefallen ist: Ich könnte zwischen Akku und LM317 einen isolierten Step-Down Wandler setzen. Dann könnte ich den Mosfet direkt über die I/O Pins ansteuern. Der RDSon ist dann zwar ein kein wenig größer, sollte aber noch im Rahmen sein. Ist das vielleicht die Lösung?



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Das kann so nicht funktionieren. - @@GAST@@, 22.05.2019, 14:19