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High Side Beschaltung mit N-Channel Mosfet Maximalwert Vds? (Elektronik)

verfasst von D.T.Schneiderlein(R), 22.05.2019, 10:28 Uhr

» » » Also statischer Betrieb und sehr geringe Schalthäufigkeit?
» »
» » Ja richtig. Das ist natürlich wichtig zu wissen.
»
» Da würde ich Photovoltaiktreiber ins Auge fassen, z.B. von Vishay
» VOM1271T.
»
» Aber unbedingt kontrollieren ob man beim Schaltvorgang in der SOA des
» MOSFET bleibt!

Vielen Dank. Ich habe das Datenblatt angeschaut und versuche mal zu verstehen: Der Photovoltaik Treiber hat auf der einen Seite eine LED. Die möchte 1,4V bei 12mA. Auf der anderen Seite ist eine Solarzelle, die bei einer Last von 5mA 8,1V und bei einer Last von 30mA 8,9V liefert. Mit dieser Spannung kann ich das Gate des Mosfets ansteuern. Wenn die LED ausgeschaltet wird, dann unternimmt der Treiber irgendetwas, damit das Gate möglichst gegen Masse gezogen wird. Habe ich das richtig verstanden?

Ich sehe folgendes Problem: Ich habe vorhin einen Versuch mit dem Mosfet gemacht. Ich habe versucht mit dem Mosfet den Pluspol zu schalten (High Side Beschaltung). Die Spannung, die ich dabei an Gate angelegt war kam aus einer Batterie, war also völlig unabhängig von der geschalteten Spannung. Die geschaltete Spannung kam aus dem Labornetzgerät. Sobald die geschaltete Spannung sich der Gate-Spannung angenähert hat, ist der Mosfet sehr schnell heiß geworden. Warum weiß ich leider nicht aber ich habe daraus geschlussfolgert, dass die geschaltete Spannung niedriger als die Gate Spannung sein muss. Habe ich mit dem Photovoltaik Treiber nicht genau dieselben Bedingungen geschaffen?



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High Side Beschaltung mit N-Channel Mosfet Maximalwert Vds? - D.T.Schneiderlein(R), 24.05.2019, 10:06
Das kann so nicht funktionieren. - @@GAST@@, 22.05.2019, 14:19