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High Side Beschaltung mit N-Channel Mosfet Maximalwert Vds? (Elektronik)

verfasst von D.T.Schneiderlein(R), 22.05.2019, 08:51 Uhr

Ich experimentiere gerade mit einem N-Channel Mosfet (IPT012N08N5). Der Mosfet soll mit einer Vgs Spannung von 10V eine Vds Spannung von bis zu 70V schalten. Mir stehen dafür zunächst zwei völlig unabhängige Stromquellen zur Verfügung. Wenn ich einen Low-Side Switch aufbaue, also den Minus-Pol schalte gelingt das problemlos. Nun möchte ich aber High-Side (Plus Pol) schalten. Das gelingt nur solange Vds deutlich unter Vgs bleibt. Ansonsten wird der Mosfet sehr schnell sehr heiß.
Das selbe habe ich versucht mit einem MIC5019 (High-Side-Treiber mit Ladungspumpe) umzusetzen, habe ein ähnliches Ergebnis: Sobald sich Vds Vgs annähert wird der Mosfet sehr heiß.

Gibt es da irgendeine Möglichkeit eine höhere Spannung zu schalten? Vielleicht einen isolierten Gate Treiber?



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High Side Beschaltung mit N-Channel Mosfet Maximalwert Vds? - D.T.Schneiderlein(R), 24.05.2019, 10:06
Das kann so nicht funktionieren. - @@GAST@@, 22.05.2019, 14:19